公开(公告)号：CN100435373C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200410034355.9

申请日：2004-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙 ,  李沅泰

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分、以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。

公开(公告)号：CN1574410A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410034355.9

申请日：2004-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙 ,  李沅泰

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。