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公开(公告)号：CN1282764C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1745470A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200380109405.9
申请日：2003-10-16
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/265 , H01L27/12 , G01N23/225
CPC classification number: G01N23/225
Abstract: 一种检查方法，用于测定在受检体(2)上形成的具有绝缘性的基材(11)内部存在的导电体来检查受检体(2)的内部状态，首先用离子或者电子照射基材(11)的检查部分的表面，通过从表面(11a)以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影的同时，腐蚀所述检查部分，并通过从仅在腐蚀的深度下部顺序更新的表面(11b)以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影，根据积累的表面图像，测定基材(11)内部存在的导电体来检查受检体(2)的内部状态，提供一种能够正确测定SOI晶片(受检体)内的嵌入硅氧化膜(基材)的内部存在的缺陷(导电体)的检查方法。
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公开(公告)号：CN1691284A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510060074.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社电装 , 三菱住友硅晶株式会社
CPC classification number: H01L29/0634
Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底(1、30、60)中形成沟槽(4、31、61)；并且在包括沟槽(4、31、61)的侧壁和底部的衬底(1、30、60)上形成外延膜(5、32、62－64、66－78)，从而将外延膜(5、32、62－64、66－78)填充在沟槽(4、31、61)中。形成外延膜(5、32、62－64、66－78)的步骤包括在用外延膜(5、32、62－64、66－78)填充沟槽(4、31、61)之前的最后步骤。所述最后步骤具有按照如下方式的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)的成形条件：将要形成在沟槽(4、31、61)侧壁上的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)在沟槽(4、31、61)开口处的生长速度小于在比沟槽(4、31、61)开口位置深的沟槽(4、31、61)位置处的生长速度。
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公开(公告)号：CN1165077C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01112096.7
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
Abstract: 在激光器件和半导体基片之间的第一个斩光器以一特定频率遮挡激发光，在第一斩光器和半导体基片之间的第二个斩光器以比第一斩光器高的变化频率遮挡激发光。当用激发光断续性地照射半导体基片时，通过控制第二个斩光器逐渐增加激发光的斩光频率时，控制器从光致发光平均强度的变化得到光致发光的衰减时间常数T，通过“τ＝T/C”计算出半导体基片的寿命τ，其中C是一个常数。通过定量地得到长寿命半导体基片的寿命准确地评价半导体基片中的杂质和缺陷等。
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公开(公告)号：CN1497061A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100419958C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02809679.7
申请日：2002-12-23
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
CPC classification number: C23C16/45589 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05-55%。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为0.2-3.2平方毫米，且通孔的密度为每平方厘米0.25-25个。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。
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公开(公告)号：CN1309861C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02149828.8
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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公开(公告)号：CN1692482A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100526.7
申请日：2003-12-19
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/2605 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/261 , H01L21/3225 , H01L21/76254 , Y10S117/916
Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[Oi]≤2.123×1021exp(－1.035/k(T+273))。
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公开(公告)号：CN1529351A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200410003827.4
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
Abstract: 一种用于半导体基片品质评价的方法，包括通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生载流子的稳态扩散分布，从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式(2)，用入射强度不同的两种激发光照射所述的半导体衬底表面，来测量两种光致发光强度的信号数据，以及用一个特定值乘所述两种光致发光强度的信号数据中强度较小的一个，然后从强度较大的信号数据中减去强度较小的信号数据，并由此通过消去所述表达式(2)的第一项得到包括从薄膜层中发射的更大量光的信号数据，或者通过消去所述表达式(2)的第二项得到包括从块状基片中发射的更大量光的信号数据。
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公开(公告)号：CN1508283A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02149828.8
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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