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公开(公告)号：CN1282764C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1497061A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN100565801C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510060074.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社电装 , 三菱住友硅晶株式会社
CPC classification number: H01L29/0634
Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底(1、30、60)中形成沟槽(4、31、61)；并且在包括沟槽(4、31、61)的侧壁和底部的衬底(1、30、60)上形成外延膜(5、32、62-64、66-78)，从而将外延膜(5、32、62-64、66-78)填充在沟槽(4、31、61)中。形成外延膜(5、32、62-64、66-78)的步骤包括在用外延膜(5、32、62-64、66-78)填充沟槽(4、31、61)之前的最后步骤。所述最后步骤具有按照如下方式的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)的成形条件：将要形成在沟槽(4、31、61)侧壁上的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)在沟槽(4、31、61)开口处的生长速度小于在比沟槽(4、31、61)开口位置深的沟槽(4、31、61)位置处的生长速度。
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公开(公告)号：CN1691284A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510060074.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社电装 , 三菱住友硅晶株式会社
CPC classification number: H01L29/0634
Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底(1、30、60)中形成沟槽(4、31、61)；并且在包括沟槽(4、31、61)的侧壁和底部的衬底(1、30、60)上形成外延膜(5、32、62－64、66－78)，从而将外延膜(5、32、62－64、66－78)填充在沟槽(4、31、61)中。形成外延膜(5、32、62－64、66－78)的步骤包括在用外延膜(5、32、62－64、66－78)填充沟槽(4、31、61)之前的最后步骤。所述最后步骤具有按照如下方式的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)的成形条件：将要形成在沟槽(4、31、61)侧壁上的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)在沟槽(4、31、61)开口处的生长速度小于在比沟槽(4、31、61)开口位置深的沟槽(4、31、61)位置处的生长速度。
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公开(公告)号：CN1289860A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1131891C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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