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公开(公告)号：CN117577047A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311541251.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种频率调控的无载流子注入式有源显示阵列驱动结构，包括：行扫描线、列扫描线、与行扫描线、列扫描线的各个交点区域对应的像元区域、调频交流信号源，像元区域设置有行列选通晶体管以及至少两个固有驱动频率不同的无载流子注入式发光器件，行扫描线、列扫描线、行列选通晶体管用于选通对应的像元区域并将调频交流信号源加载至无载流子注入式发光器件；无载流子注入式发光器件根据自身的固有驱动频率的不同而在不同频率下的调频交流信号源下点亮工作。本发明在相同的发光像素条件下，减少行扫描线和列扫描线的数量来减小扫描电路的面积，降低了显示电路的制备复杂性。
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公开(公告)号：CN117348299A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311351929.4
申请日：2023-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02B30/28 , G02B30/29
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶透镜的二维三维切换显示屏，包括：第一基板；第一基板上设置有多个第一电极组，各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极，各个第一环形电极呈同心环排布；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上与第一基板上的各个第一环形电极相对应区域设置有第二环形电极组；第二环形电极组包括多个第二环形电极且各个第二环形电极组用于施加不同偏置电压以使第二环形电极组与第一环形电极之间形成渐变电位差；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明在提高显示效果的同时无需增加过多的驱动电压源。
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公开(公告)号：CN117234006A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311243426.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种防引线区域畸变的液晶透镜，包括：第一基板；第一基板包括引出电极层、绝缘层以及环形电极层；环形电极层设置有若干个环形电极；绝缘层设置于引出电极层与环形电极层之间；引出电极层通过搭桥与环形电极层电连接，引出电极层设置有与各个环形电极进行电连接的引出电极，引出电极用于为环形电极提供相对应的电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个引出电极的位置相对应的高阻引线；各个高阻引线的内端部与公共面电极进行电连接，高阻引线的外端部连接于第一供电端上；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明避免引线区域畸变，提高液晶透镜成像的效果。
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公开(公告)号：CN117192846A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311313731.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种液晶透镜及其控制方法，其中，液晶透镜包括：第一基板；第一基板上设置有第一电极组，第一电极组包括M个电极区域，每个电极区包括N个第一电极，每一电极区域中相同次序的第一电极连接在同一个第一驱动电压源；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个电极区域位置相对应的引线组，每个引线组包括N+1个导电电极，相邻的导电电阻之间连接有高阻引线，引线组两端的导电电极分别与第二驱动电压源和公共面电极进行电连接；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明可以在补偿液晶透镜不均区域的成像效果的基础上，减少驱动电压源的设置。
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公开(公告)号：CN111952474B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010829285.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/00 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115746854B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211580431.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114898718B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210658851.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明涉及一种彩色电润湿电子纸实时色彩转换方法。将视频分解成一帧帧的图像数据，并对图像进行分区处理；然后将图像色彩转换成256阶的灰度值信息，而后进行32×32的离散余弦变换（DCT）将图像灰度信息转换为频率分量；对32×32矩阵隔位取出8×8矩阵，并对所有数值求平均；灰度值大于均值或大于下一个像素值的记为1，反之记为0，计算哈希值，构造长整型指纹，对分区像素进行查找分组；再对相似的局部特征经池化层求平均的降采样处理；通过权值矩阵将前后层的特征神经元全连接；最后将目标像素分区RGB色彩信息根据色彩转换准则与驱动电压‑开口率特性曲线，将各个目标像素的RGB色彩计算转化为CMY油墨的驱动电压，并保存以便下次播放无需重复计算。
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公开(公告)号：CN116482464A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310466393.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种新型高压输电线状态检测装置，包括：绝缘外壳，设置于所述绝缘外壳内的多个遮光外壳，设置于所述遮光外壳内部不同位置的半导体发光芯片，用于传输每个半导体发光芯片光信号的多股光纤，设置于遮光外壳外侧的漏电保护器，以及用于接收光纤传输光信号的光电探测器；通过采集接收光信号波形信息并进行处理，得到高压输电线的电压幅值信息和摆动状态，以实时反馈高压输电线的位置状态。
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公开(公告)号：CN111834420B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN112817213B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110106957.4
申请日：2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统，包括显影机、刻蚀机、光源模组，还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板；光源模组包括四组光源，每组光源对应显示像素内的一个子像素结构，掩膜版包括多个透光区，每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心；当对光刻胶曝光时，四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光，各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定；显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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