公开(公告)号：CN210956680U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202020123248.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210956665U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202020045615.7

申请日：2020-01-09

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  曹俊 ,  廖勇波 ,  曾丹 ,  肖婷

IPC: H01L23/498

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种智能功率模块及电子设备。智能功率模块，包括：基板，所述基板的一侧表面形成有金属层，所述金属层上形成有用于安装芯片的多个芯片安装区，每个所述芯片安装区内均设用于容纳引线框架的管脚的凹槽。本申请中的智能功率模块，基板的一侧表面形成的金属层，金属层上的芯片安装区上设有凹槽，以使引线框架的管脚与金属层连接时，管脚嵌入至金属层的凹槽中，降低基板的金属层面溢胶的情况发生。

公开(公告)号：CN210866185U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921806520.6

申请日：2019-10-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  张祎龙 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。

公开(公告)号：CN210866181U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921951579.4

申请日：2019-11-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  敖利波

IPC: H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种元胞结构以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本实用新型提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN210866167U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921685666.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  王华辉 ,  陈治中

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/13

Abstract: 本实用新型涉及电子电器技术领域，具体涉及一种功率器件及其基板。该基板包括绝缘部、导热部、第一导电部和第二导电部，所述绝缘部沿自身厚度方向相对的两侧中，一侧连接有所述导热部，另一侧连接有所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一导电部和所述第二导电部之间具有绝缘间隔；所述绝缘部位于所述绝缘间隔的部分处设置有沉槽，所述沉槽自所述绝缘部的表面向所述导热部所在的方向延伸。本实用新型所提供的基板即便尺寸相对较小，其绝缘可靠性也相对较高，安全隐患相对较小。

公开(公告)号：CN210628308U

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201921770901.3

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8258

Abstract: 本实用新型涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210575930U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201921347171.6

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖童佳 ,  王华辉 ,  唐辉 ,  谢恩福 ,  史波

IPC: H01L23/495

Abstract: 本实用新型提供了一种SOP封装结构，涉及芯片封装技术领域。包括引线框架及安装在所述引线框架上的引线结构，所述引线结构包括多个沿预设方向间隔排列的引线脚，还包括限位结构，所述引线脚具有连接面，所述限位结构与所述引线结构固定连接，以使所述引线结构的多个所述引线脚的连接面共面。本申请通过在每列的引线脚上设置限位结构，限位结构的固定作用使得整列的引线脚构成至少一个整体结构，整体结构对外力的抵抗作用更好，使得外力磕碰作用下，引线脚整体结构中的单个引线脚不会轻易变形，从而保证引线脚朝向相同的侧面均位于同一平面上，保证引线脚具有良好的共面性，避免封装过程中出现虚焊等异常现象。

公开(公告)号：CN209056500U

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201822020863.1

申请日：2018-12-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  肖婷 ,  曾丹 ,  廖勇波 ,  敖利波 ,  梁博

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型涉及功率半导体芯片技术领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该晶体管中包括衬底，衬底上设有集电极层和器件层，器件层在衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与集电极层在衬底上投影的边缘具有设定距离，器件层外表面包覆有介质层，介质层背离器件层一侧形成有发射极键合金属层，集电极层背离衬底一侧位于器件层以外区域内设有集电极键合金属层。上述晶体管中，当对晶体管通电时，电子依次经过发射极键合金属层、器件层、集电极层、集电极键合金属层，实现电流导通，从而电流的通过路径不经过衬底，使得晶体管中可以采用较厚的衬底来承载超薄器件层，不需要采用超薄的减薄工艺和相关的复杂步骤，降低了制造成本以及制造难度。

公开(公告)号：CN208848895U

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201821859361.1

申请日：2018-11-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  何昌

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/48 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型提供了一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207038529U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201720982042.9

申请日：2017-08-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  何昌 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽栅IGBT，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本实用新型提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利