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公开(公告)号：CN210926000U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201921768833.7
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型提出了一种引线框架，其中，在所述引线框架的脚部设有至少一个待填充塑封料的通孔。本实用新型的引线框架在塑封料注塑充填的过程中，塑封料会充满这些通孔，贯通引线框架上下，来阻挡水汽的进入，改善因封装分层问题导致的器件失效，从而延长了引线框架的寿命。
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公开(公告)号：CN210866184U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921780363.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的终端结构，包括半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本实用新型在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。
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公开(公告)号：CN210837754U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201922178796.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN210640235U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921685655.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备；智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架，所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块，相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本实用新型提供的智能功率模块，将陶瓷基板分割多个陶瓷板块，多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体，避免应力集中，防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210467819U
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201921419787.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210429826U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921347175.4
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种新型结构功率半导体器件。功率半导体器件包括由下至上依次层叠的背面金属层、衬底、外延层和正面结构，所述背面金属层通过设置于所述衬底内的金属与所述外延层连接。本申请中的功率半导体器件在制备过程中不需对衬底进行减薄，而是采用引线孔技术，将背面电极引出。在不影响焊接工艺和功率半导体器件电性的基础上，取缔了减薄工艺，保留了衬底作为支撑，避免了减薄过程以及后续薄片制作工艺上造成的碎片风险，节约了成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210429778U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921347424.X
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块组件，涉及电子设备领域。包括：散热器和功率电子器件，所述散热器设有安装槽，所述功率电子器件设置于所述安装槽内，所述安装槽的开口处设有盖板，所述盖板上设有多个通孔，所述功率电子器件包括多个电极引脚，所述电极引脚从所述通孔伸出至所述安装槽外部。本实用新型提供的功率模块组件，通过在散热器上设置安装槽，将功率电子器件设置于安装槽内，实现了功率电子器件与散热器的一体化集成。从而使功率电子器件不用再进行单独的封装，摆脱了封装外壳的限制，降低了整体重量，也避免了封装外壳的材料成本。同时，由于功率电子器件集成在了散热器内部，减小了整体的体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208478320U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821288481.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本实用新型将封装体浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214848639U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121152384.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种半导体器件的元胞结构及半导体器件，该元胞结构包括第一导电类型衬底；依次并排设置于所述衬底上表面内的至少一个第一沟槽栅、至少一个第二沟槽栅、至少一个第三沟槽栅和至少一个第四沟槽栅；位于所述阱区上表面内并位于所述第一沟槽栅两侧、所述第三沟槽栅两侧和所述第四沟槽栅两侧的第一导电类型源区；位于所述衬底上方并同时与所述源区电连接的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅、所述第二沟槽栅和所述第三沟槽栅与所述发射极金属层之间通过第一层间介质层隔离，所述第四沟槽栅与所述发射极金属层电连接。这种元胞结构可以实现更好的导通压降、饱和电流、短路时间三大参数的折中平衡。
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公开(公告)号：CN214848626U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121195951.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型提供一种IPM模块的下桥连接结构、IPM模块和电子设备，该IPM模块的下桥连接结构包括基板、下桥芯片、公共端焊盘、下桥引脚、第一连接导线以及第二连接导线；基板上设置有桥接导体部；各下桥引脚与下桥芯片电连接，下桥芯片的发射极与各第一连接导线的一端电连接，各第一连接导线的另一端与各桥接导体部一一对应电连接，各桥接导体部与各第二连接导线的一端一一对应电连接，各第二连接导线的另一端与公共端焊盘电连接。通过在基板上设置与基板上其他金属元件不连接的桥接导体部，使得下桥芯片的发射极能够通过第一连接导线和第二连接导线连接至公共端焊盘，避免了发射极感生电流，避免影响到开通速度，避免因开通慢增加损耗。
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