公开(公告)号：CN211824746U

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202020610689.0

申请日：2020-04-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 黄玲 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: G01J5/00 ,  G01J5/02 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 本实用新型涉及封装领域，公开一种温度传感器及温度检测设备，该温度传感器，包括：基板；位于所述基板顶部的发光芯片；所述基板上形成有与所述发光芯片连接的焊盘组件；与所述焊盘组件同层设置的第一塑封层；用于透过红外线的透明罩固定于所述基板顶部、且罩设在所述发光芯片的外部；包围在所述透明罩四周的第二塑封层，位于基板顶部的发光芯片与在基板上形成的焊盘组件连接，完成发光芯片与基板连接后，对基板进行一次注塑，注塑形成的第一塑封层与焊盘组件同层且厚度相同，在发光芯片的外部罩设有透明罩、且透明罩固定在基板上，透明罩对发光芯片的光进行透光处理，透明罩为只能通过红外光线材质，以达到利用红外光对人体进行检测目的。

公开(公告)号：CN211744577U

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202020642573.5

申请日：2020-04-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 郑楠楠 ,  马颖江 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H04N5/225 ,  G01J5/12 ,  G01K13/00

Abstract: 本实用新型涉及摄像头的技术领域，具体涉及一种摄像头及智能设备，包括：基板，所述基板上设置有具有上端开口的支撑框，所述支撑框的开口处设置有滤光片，所述滤光片与基板之间还连接有隔离板，所述基板、支撑框以及滤光片形成的腔室被所述隔离板分隔成两个，其中一个腔室内设有摄像组件，另一个腔室内设有体温检测组件；本方案采用在智能设备(例如手机)中的摄像头内集成体温检测组件的方式，可以实现现有技术中的摄像头保证摄像效果的同时，具有温度检测功能，从而满足人们随时使用的需求，并且，体温检测组件没有占用智能设备的内部空间，无需在智能设备表面开孔，从而提高智能设备内部空间的利用率。

公开(公告)号：CN211578790U

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202020691064.1

申请日：2020-04-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波 ,  马颖江

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/28

Abstract: 本实用新型提供了一种热电堆芯片。热电堆芯片包括衬底和设置在衬底上的绝缘层，热电堆芯片还包括热电偶组件，热电偶组件包括：多个热电偶对，各热电偶对均具有热结部，多个热电偶对沿预设方向分布，以使多个热电偶对的热结部沿预设方向间隔设置；预设方向为从衬底的中部至衬底的外周面的方向；其中，热电偶组件为多个，多个热电偶组件沿衬底的周向分布。本实用新型有效地解决了现有技术中热电堆芯片的红外吸收效率较低的问题。

公开(公告)号：CN211297136U

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202020136391.0

申请日：2020-01-20

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 叶婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K1/05

Abstract: 本实用新型涉及线路板技术领域，具体而言，涉及一种覆铜板及功率器件，包括基板及铜板层，所述铜板层贴合所述基板并包裹所述基板相对两侧的延展端，所述铜板层包括包裹部、贴合于所述基板正反两面的第一键合部及第二键合部，所述包裹部包裹所述延展端并分别连接所述第一键合部及第二键合部，所述包裹部开设有用于容纳所述延展端的开口槽，且所述开口槽相对两侧壁的厚度、所述第一键合部及第二键合部的厚度均相同，本方案中，铜片包裹基板，在基板的周侧形成铜板层，当铜片与基板键合过程中，基板的延展端受铜板层的包裹不会发生翘曲。

公开(公告)号：CN211150564U

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202020138076.1

申请日：2020-01-20

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  史波 ,  曾丹 ,  陈茂麟

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G03F1/00

Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。

公开(公告)号：CN209804659U

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201822065217.7

申请日：2018-12-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  廖勇波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域（4），且所述打线区域（4）处未刻蚀沟槽（6）。本实用新型的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209199944U

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201822020071.4

申请日：2018-12-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈兆同 ,  何昌 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利