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公开(公告)号：CN100510187C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510114837.X
申请日：2005-11-17
Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55%到大约80%的磷酸；重量比为大约3%到大约15%的硝酸；重量比为大约5%到大约20%的乙酸；重量比为大约0.5%到大约10%的磷酸盐；重量比为大约0.1%到大约5%的含氯化合物；重量比为大约0.01%到大约4%的偶氮化合物；以及水。
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公开(公告)号：CN108456885B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201810149885.X
申请日：2018-02-13
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法，更详细而言，涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水，其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。
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公开(公告)号：CN110273156A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910192762.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。
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公开(公告)号：CN1912187B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610090316.X
申请日：2006-06-29
IPC: C23F1/16 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/20 , C09K13/06 , C23F1/26 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物对导电层构图并且制造平板显示器件的方法。该蚀刻剂组合物包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。此外，可以通过使用相同的蚀刻剂组合物对由不同材料形成的栅极、源极/漏极和像素电极构图来制造平板显示器件。因此，更加简化工序从而可以减少制造成本并且提高生产率。
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公开(公告)号：CN101265579A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085047.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110273156B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910192762.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。
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公开(公告)号：CN101886266B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102939407A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC classification number: C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
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公开(公告)号：CN100470345C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510112849.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al-Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al-Nd双重膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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公开(公告)号：CN1971351A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146763.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜蚀刻组合物，该蚀刻组合物用于在制造薄膜晶体管液晶显示装置等时对透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，而不会对构成TFT的栅极配线材料即Mo/Al－Nd双重膜和作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜造成影响，所形成的透明导电膜的轮廓优异，蚀刻速度快，具有节约LCD制造成本和提高工序收率的效果。本发明的透明导电膜蚀刻组合物的特征在于，其含有：0.1重量％～5重量％的a)能够在水溶液中解离出Cl－的含氯化合物；0.1重量％～5重量％的b)能够在水溶液中解离出NO3－的化合物；以及c)余量的水。
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