公开(公告)号：CN115007854A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210805672.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张楠 ,  刘佳欣 ,  黄强 ,  戚飞 ,  贺利军 ,  王振 ,  王玉婵 ,  张文霞 ,  陈威威

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/068 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。

公开(公告)号：CN113488525A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110745217.5

申请日：2021-07-01

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  秦海峰 ,  王礼祥 ,  王玉婵 ,  许峰 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

公开(公告)号：CN113948639A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111210555.5

申请日：2021-10-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  袁一鸣 ,  张文霞 ,  戚飞 ,  张楠 ,  王振 ,  张良睿

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色环保低毒；同时制备的无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器结构简单，是一种非易失性存储器，具有良好的存储耐久性、较长的数据保持力以及优异的稳定性和可重复性，并且擦写电压低，可在低功耗状态下实现数据存储。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

公开(公告)号：CN112394905A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011358674.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁素真 ,  高胜威 ,  文超 ,  卿显荣 ,  乔治钦 ,  王艳 ,  王玉婵 ,  胡泽锐

IPC: G06F7/535 ,  G06N10/00 ,  G06F7/485

Abstract: 本发明涉及一种量子除法器的设计方法，属于量子运算领域。该方法包括以下步骤：S1：利用量子门设计n位量子比较器，实现两个n位二进制数的比较运算；S2：利用量子门设计等位和不等位量子减法器；S3：将步骤S1和S2中的比较器和减法器综合设计得到量子除法器；S4：采用经典计算机与IBM实验室提供的开源量子云模拟器搭建实验平台并进行仿真模拟实现量子除法运算。本发明通过加入辅助量子比特并进行复用，使得量子除法运算得以实现，并提高了量子除法运算的性能，为处理更复杂的量子计算打下了基础。

公开(公告)号：CN112258543A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011172744.3

申请日：2020-10-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁素真 ,  高胜威 ,  文超 ,  乔治钦 ,  卿显荣 ,  王艳 ,  王玉婵 ,  吴沁洋 ,  余佳虹 ,  周峥錡

IPC: G06T7/136 ,  G06T7/11 ,  G06T7/90

Abstract: 本发明涉及一种新的量子图像存储模型NEQR表达的量子图像自适应分割方法，属于量子计算领域。该方法包括以下步骤：S1：制备待分割图像和辅助图像的NEQR表达式；S2：设计量子图像自适应阈值分割算法的量子线路，并对S1制备的量子图像表达式进行自适应分割处理；S3：对S2处理之后的量子图像表达式进行测量，得到图像表达式中的信息，并将其转化为图像信息。本发明通过加入辅助图像并对辅助量子比特位进行复用，能降低量子线路中的量子比特位和量子元件的数量，大幅度提高了量子图像算法的性能，使得量子图像自适应分割算法的仿真更加高效，为处理更大尺寸的量子图像打下了基础。

公开(公告)号：CN116947739A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310447019.X

申请日：2023-04-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 唐孝生 ,  陈光昊 ,  王玉婵 ,  张文霞 ,  曾福嘉 ,  张楠 ,  戚飞

IPC: C07D211/56 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及一种有机无机杂化新型无铅钙钛矿晶体的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿材料制备技术领域。本发明主要是以四氨基哌啶(4amp)、氯化锌(ZnCl2)粉末和三氯化锑(SbCl3)为原料，在盐酸存在下在可控温烘箱中进行反应。不同于(4amp)2ZnCl4在365nm紫外光波长的激发光下发出蓝光)，本发明制备得到的钙钛矿晶体(Sb3+:(4amp)2ZnCl4微晶)掺杂Sb3+后经过365nm的紫外光激发后发出粉红色光，且具有晶体稳性好、发光特性优异的特点；另外本发明的制备方法简单、易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。

公开(公告)号：CN115498106A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211347112.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  许楠楠 ,  袁一鸣 ,  曾福嘉 ,  陈光昊 ,  冉倩 ,  张文霞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器的制备技术领域。本发明的柔性阻变存储器结构简单，具有以下优点：(1)采用有机聚合物材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI))作为衬底，成本低廉且抗弯这能力强；(2)性能优异，具有双极性非易失存储的特点，且操作电压低、开关比高、循环耐受性好，同时机械可靠性强，可进行多次重复弯折。另外本发明的柔性阻变存储器再制备过程中采用的原料易得、制备工艺流程简单、对设备依赖性低、不含铅元素、绿色环保低毒；同时采用低温溶液旋涂法制备阻变层，避免了传统高温设备对柔性衬底造成的不可逆伤害。

公开(公告)号：CN113629135A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110924156.9

申请日：2021-08-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  许峰 ,  秦海峰 ,  王玉婵

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种集成沟槽和体平面栅的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该MOSFET是在传统沟槽栅的基础上，在沟槽栅底部引入体平面栅结构。该体平面栅由源金属﹑栅绝缘介质层﹑栅底部N+源﹑栅底部P电场屏蔽区以及栅底部沟道区组成，且栅底部N+源﹑栅底部P电场屏蔽区与源金属短接。该体平面栅不但引入新的沟道，且在P电场屏蔽区/N‑漂移区之间集成了新PN结型二极管。与传统沟槽型SiC MOSFET相比，槽栅底部峰值电场下降了75.3％；栅漏电荷下降了91.5％；开启损耗在1MHZ频率下降了66.6％；关断损耗下降了78.0％。