公开(公告)号：CN112885813A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110057448.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨丽侠 ,  薛智民 ,  刘存生 ,  曹磊 ,  邢鸿雁 ,  王晨杰

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。

公开(公告)号：CN112382656A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011270506.6

申请日：2020-11-13

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 宋坤 ,  王英民 ,  孙有民 ,  薛智民 ,  王小荷 ,  曹磊

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜层的阱与漏极之间减薄形成顶部下凹的超薄漂移区；漂移区自阱至漏极方向的掺杂浓度线性递增，使得漂移区能够形成平缓横向电场分布，大幅提升了器件击穿电压；所述漂移区的厚度小于硅膜层两端的厚度。与现有的LDMOS相比，该晶体管结构简单，在具有高击穿电压的同时具有低的开启电压，易于与BCD工艺技术兼容，为高压及功率集成电路的设计及工艺制造提供了更多选择性。