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公开(公告)号：CN113620702A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110811666.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安工程大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种Yb3+掺杂的巨介电常数低损耗陶瓷及其制备方法，属于陶瓷成型制品及其制备方法领域。所述巨介电常数低损耗陶瓷由CaCu3Ti4O12和Yb2O3组成。所述的制备方法包括：在空气气氛下，以CaCO3、CuO和TiO2为原料，以Yb2O3为添加剂，采用固相反应工艺制得所述巨介电常数低损耗陶瓷。本发明充分运用了固相法制备工艺简单、可重复性高、成品率高等优点，为大规模工业化生产铺平道路。
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公开(公告)号：CN104792824A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510178396.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开的用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法：先将待测纯度的ZnO粉末压制成圆片状的ZnO生坯，对ZnO生坯依次进行烧结及表面被银电极处理，得到表面含银电极的ZnO陶瓷圆片；制备裹敷银电极的温差电势电流测试线；将待测体的上表面连接降温装置，下表面连接加热装置；启动降温、加热装置，使待测体上、下表面形成温度差；用微安表检测并记录数据；根据记录的数据，对温差电势电流及载流子类型进行判断；结合判断结果和温差电势电流的活化能对点缺陷种类进行判断。本发明用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法，通过施加温度梯度形成温差电势电流的方法，实现了对ZnO陶瓷本征点缺陷结构的准确检测。
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公开(公告)号：CN104656001A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510063230.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开的用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法主要是基于点缺陷弱束缚电子跳跃电导的介电弛豫效应：高频下弱束缚电子的输运仅限于晶胞内，主要表现为介电弛豫；低频下弱束缚电子的输运可跨越耗尽层，甚至整个晶粒，主要表现为电导过程，此时介电弛豫效应将达到饱和；根据介电常数发生改变的拐点所对应的频率就能推算耗尽层、晶粒的几何尺寸；测试过程主要以介电谱为主表征耗尽层厚度和晶粒尺寸，同时通过模量谱对低频电导和高频弛豫信息进行确诊，并通过阻抗谱获得非均匀各部分的阻抗参数。本发明用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法具有操作简便、无损及误差小的优点。
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公开(公告)号：CN103971798A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410168598.5
申请日：2014-04-24
Abstract: 一种架空裸导线扩径增强绝缘结构，包括上扩径部件、下扩径部件以及连接上扩径部件和下扩径部件的弹性卡扣，上扩径部件和下扩径部件结构相同，上下对称的卡接在架空裸导线需防护位置的表面，上扩径部件和下扩径部件的外表面均涂覆有改性环氧绝缘层。扩经导体内部为中空结构；本发明结构屏蔽了架空裸导线表面单线曲率和毛刺，获得光滑、较大导体等效半径，彻底消除裸导线表面电晕，极大地减小了安全距离；本发明的扩径导体和外部增强固体绝缘层策略可以获得几乎是永久的安全防护效果。
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公开(公告)号：CN118874494A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410940962.9
申请日：2024-07-15
Applicant: 西安工程大学
IPC: B01J27/043 , D01F6/92 , D01F1/10 , C08G83/00 , B01J37/08 , B01J35/39 , B01J35/61 , B01J35/64 , B01J35/63 , B01J35/30 , C01B3/04 , C07C45/00 , C07C47/54
Abstract: 本发明公开了一种用于光催化的Co9S8/ZCS材料制备方法，通过利用半导体复合方式将ZCS和通过以金属有机骨架(ZIF‑67)为前驱制备的金属硫化物Co9S8进行复合，制备得到Co9S8/ZCS材料。通过采用该方法，使得Co9S8的引入显著增强了ZCS纳米颗粒的分散性；形成的Co9S8/ZCS S型异质结将更有利于光生载流子分离和可以充分发挥电子和空穴强大的还原氧化能力，从而提高光催化苯甲醇脱氢的性能。本申请为有效的光催化脱氢协同选择氧化有机底物为有价值的产物提供了一种可行的方法。同时，通过该方法克服了ZCS纳米颗粒存在的团聚现象，使得ZCS纳米颗粒与Co9S8结合全面，提高了光催化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118016770A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410122154.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。
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公开(公告)号：CN104118901B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410352597.6
申请日：2014-07-23
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的花状纳米氧化锌的制备方法，具体按照以下步骤实施：1)分别称取二水乙酸锌和氢氧化钾；2)将1)中称取的二水乙酸锌和氢氧化钾分别溶解于去离子水中，配制成二水乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液；3)将经2)配制的二水乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液充分混合，得到混合溶液；4)将经3)得到的混合溶液放置于超声清洗机中进行超声处理，得到白色沉淀物；5)对经4)得到的白色沉淀物进行处理，得到花状纳米氧化锌。本发明的花状纳米氧化锌的制备方法，解决了现有花状氧化锌纳米锌制备方法存在的制备温度高、制备时间长的问题。
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公开(公告)号：CN104843768A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510275328.9
申请日：2015-05-26
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的三维多层纳米氧化锌的制备方法，具体按照以下步骤实施：1)分别称取乙酸锌和氢氧化钾；2)将称取的乙酸锌和氢氧化钾分别溶解于去离子水中，配制成乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液；3)将配制的乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液充分混合得到混合溶液；4)将混合溶液倒入不锈钢反应釜中进行水热反应得到白色沉淀物；5)将白色沉淀物从不锈钢反应釜中取出后用去离子进行水洗之后烘干，最终得到三维多层纳米氧化锌。本发明三维多层纳米氧化锌的制备方法，在制备过程中无需添加表面活性剂，不仅提高了光催化性能，还在一定程度上降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN118706837A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410639614.8
申请日：2024-05-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01N21/88 , G06T7/00 , G06N3/0464 , G06N3/08 , B62D57/024 , B60B19/12 , B62D37/00 , B60R11/04 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开的焊缝表面缺陷检测机器人，包括下位机自动循迹采样系统和上位机，下位机自动循迹采样系统包括检测车体，检测车体顶部设置有图像采集模块、控制模块和报警模块，检测车体两侧设置有驱动模块，检测车体底部设置有吸附模块；控制模块通过导线分别与图像采集模块、驱动模块、报警模块连接进行信号传输，控制模块与上位机通过无线蓝牙连接进行信号传输。本发明的焊缝表面缺陷检测机器人，设置U型吸附机构，采用麦克纳姆轮与永磁吸附结合，灵活性高且作业安全性高；上位机中采用基于改进YOLOv8n的表面缺陷检测模型，提升检测精度。
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公开(公告)号：CN116958961A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310686793.6
申请日：2023-06-12
Applicant: 西安工程大学
IPC: G06V20/68 , G06V10/25 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了基于改进YOLOv8s的轻量级石榴识别方法，该方法包括以下步骤：搭建轻量化YOLOv8网络；获取石榴图像并搭建数据集，将所述数据集按比例划分为训练集、验证集以及测试集；将数据集送入所述轻量化YOLOv8网络进行训练，得到权重文件；将所述测试集中的图片利用所述权重文件进行测试，得到改进网络的效果和检测结果。该方法采用ShuffleNetv2替换YOLOv8检测算法的骨干网络，并集成了超轻量化注意力机制ECA(EfficientChannel Attention)，在不提升模型计算量的同时保持YOLOv8的精度优势。进一步地，将标准卷积模块替换成深度可分离卷积(DWConv)模块，使模型极致轻量化，满足部署到嵌入式设备的要求。
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