具有改良屏蔽的阶梯式间接加热阴极

    公开(公告)号:CN115769333A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202180043817.5

    申请日:2021-06-16

    Abstract: 用于形成一等离子体的离子源,具有阴极,该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间,界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面,该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同,以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。

    加热或冷却晶片的设备及方法

    公开(公告)号:CN109417010B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201780034185.X

    申请日:2017-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统,其包括第一腔室以及具有加热夹盘的处理腔室。控制器在加热夹盘与第一腔室之间转移工件并选择性激励加热夹盘的第一模式和第二模式。在第一模式和第二模式下,分别将加热夹盘加热到第一温度和第二温度。第一温度是预定温度。第二温度是可变温度,由此控制器基于第一腔室中的热预算、注入能量和/或工件初始温度来确定第二温度,并且在第二模式下大体上维持第二温度。将工件从加热夹盘转移至第一腔室在第二模式下从处理腔室移除注入能量。通过在加热夹盘与冷却板之间转移工件,可以进一步将热量从加热夹盘传递至冷却板,继而冷却加热夹盘。

Patent Agency Ranking