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公开(公告)号：CN118946950A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030891.2
申请日：2023-03-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 离子注入系统具有质量分析磁体，该质量分析磁体具有内部和外部区域，并限定第一入口、第二入口和出口。第一离子源限定沿第一射束路径导向第一入口的第一离子束。第二离子源限定沿第二射束路径导向第二入口的第二离子束。磁体电流源向质量分析磁体供应磁体电流。磁体控制电路基于第一或第二离子束的形成控制磁体电流的极性。质量分析磁体分别对第一或第二离子束进行质量分析，以沿经质量分析的射束路径限定经质量分析的离子束。内部或外部区域中的至少一个屏蔽件防止第一和第二离子源之间的视线。束线部件修改经质量分析的离子束。
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公开(公告)号：CN118215979A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280069517.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Abstract: 一种离子源具有电弧室，所述电弧室具有一个或多个辐射产生特征、包围内部容积的电弧室主体以及限定在其中的至少一个气体入口孔。气体源通过气体入口孔提供诸如源种类气体或卤化物的气体。源种类气体可以是铝基离子源材料，例如二甲基氯化铝。靠近气体入口孔定位的一个或多个屏蔽件提供气体入口孔和内部容积之间的流体连通，最小化从一个或多个辐射产生特征到气体入口孔的视线，并且基本上防止热辐射从一个或多个辐射产生特征到达气体入口孔。
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公开(公告)号：CN111149187B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201880062832.2
申请日：2018-10-09
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统，其具有配置为形成离子束的离子源以及具有AEF区域的角能量滤波器(AEF)。气体源通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于AEF上的膜。该气体可为氧化气体或含氟气体。气体源可在形成离子束的同时选择性将气体供应到AEF区域。加热AEF，以辅助气体钝化和/或蚀刻膜。热量可源自离子束和/或源自与AEF相关联的辅助加热器。歧管分配器可操作性耦接至气体源并配置为将气体供应到一个或多个AEF电极。
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公开(公告)号：CN118103943A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068562.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统，具有用于产生离子束的离子源，以及用于限定具有处于第一电荷状态的所需离子的第一离子束的质量分析装置。第一直线加速器将第一离子束加速到多个第一能量。电荷剥离器从所需离子剥离电子，从而限定处于多个第二电荷状态的第二离子束。第一偶极磁体以第一角度在空间上分散和弯曲第二离子束。电荷限定孔使所述第二离子束的所需电荷状态通过，同时阻挡多个第二电荷状态的剩余部分。四极装置在空间上聚焦第二离子束，从而限定第三离子束。第二偶极磁体以第二角度弯曲第三离子束，并且其中，能量限定孔仅使所需离子以所需能量和电荷状态通过。
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公开(公告)号：CN113692636B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202080029341.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 一种用于离子注入系统的离子源具有多个电弧室。离子源基于多个电弧室中的相应一个电弧室相对于束线的位置而形成出自该多个电弧室中的该相应一个电弧室的离子束。电弧室耦接到转盘，转盘将该多个电弧室中的该相应一个电弧室平移或旋转到与束线相关联的束线位置。该多个电弧室中的一个或多个电弧室可以具有至少一种独特的特征，或者该多个电弧室中的两个或更多个电弧室可以彼此大体上相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112655081B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980055967.0
申请日：2019-08-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 尼尔·巴瑟姆
Abstract: 一种工件对准系统，具有光发射装置，通过第一偏光装置将光束引导至工件的第一侧。被定位在该工件第二侧的光接收装置通过该工件与该光接收装置之间的第二偏光装置接收该光束。工件支撑架支撑该工件。旋转设备绕着支撑轴选择性支撑与旋转该工件支撑架。控制器基于被该光接收装置接收的光束量而决定该工件的位置。该控制器至少部分基于该工件支撑架的旋转位置以及该光接收装置接收的光束的至少一部分，决定该工件被支撑与旋转时该工件的位置。
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公开(公告)号：CN117795636A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054270.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/147
Abstract: 一种离子注入系统和方法，可选择性地改变至工件的离子束能量，使其在射束前方依次通过。注入系统具有用于产生离子束的离子源和用于改变离子束能量的加速/减速级，所述加速/减速级基于提供给其的电偏置来改变离子束能量。加速/减速级的正下方设置工件支撑件，以通过选择性变化能量离子束支撑工件，并且可以在射束能量变化期间进行热控制以控制工件温度。当工件位于射束前方时，能量可变化，且控制器可控制电偏置以控制离子束的能量变化，在工件支撑件上将工件单次定位时，可获得多个工艺配方。
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公开(公告)号：CN109831924B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201780057116.0
申请日：2017-09-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 艾伦·威德
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 加的工件直径。本发明提供一种用于夹持具有不同直径的工件的静电夹盘。设置与第一工件相关联的中央静电夹盘构件和与第二工件相关联的第一外围静电夹盘构件。升降器使第一外围静电夹盘构件相对于中央静电夹盘构件在缩回位置与伸出位置之间直移。在缩回位置，第一工件仅接触第一表面。在伸出位置，第二工件接触第一表面和第二表面。当第一外围静电夹盘构件处于缩回位置(56)对比文件JP H11219939 A,1999.08.10李云海;李欣燕;章文;丁荣峥.圆片清洗过程中静电控制.电子与封装.2010,(第10期),全文.
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公开(公告)号：CN111052295B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880055598.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/20 , H01L21/265 , G01K7/22 , H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种在离子注入系统中注入离子期间维持工件温度的系统和方法，其中使用一组预定的参数集来表征离子注入系统。在第一温度下设置受热夹盘，其将工件加热到第一温度。在加热的同时将离子注入到工件中，并通过离子注入将热能施加到工件中。通过选择性在受热夹盘上将工件加热到第二温度，在离子注入期间将工件的期望温度维持在期望精度内。至少部分地基于离子注入系统的表征来维持期望温度。通过在第二温度下选择性在受热夹盘上加热工件，减少从注入施加到工件中的热能。
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公开(公告)号：CN111052297B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880055563.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 舒·佐藤
IPC: H01J37/248 , H01J37/317 , H01J5/34 , H01J5/56
Abstract: 本发明涉及一种射频馈通装置具有空心的电绝缘锥体，该锥体在第一端和第二端处包括具有第一直径和第二直径的第一开口和第二开口。第一直径大于第二直径，从而限定锥体到拐点的锥形侧壁。杆体耦接到锥体的第二端并穿过第一开口和第二开口。凸缘耦接到锥体的第一端并包括具有第三直径的凸缘开口。第三直径小于第一直径。杆体穿过凸缘开口而不接触凸缘。凸缘将锥体耦接到腔壁通孔。可以使锥体的接触部分金属化。锥体和凸缘使杆体穿过通孔，同时使杆体与腔壁电绝缘。
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