闪烁体的空间增益分布的确定

    公开(公告)号:CN101652677A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200880011645.8

    申请日:2008-04-09

    CPC classification number: G01T1/2018 G01T1/2928

    Abstract: 一种提供与针对初级辐射的闪烁体的空间增益分布有关的信息的方法,其不需要利用初级辐射来照射闪烁体。所述方法包括利用次级辐射照射闪烁体,以为所述次级辐射生成闪烁体的空间次级增益分布的图像。所述空间次级增益分布图像与针对初极辐射的空间初级增益分布的图像相对应。在本发明的一个实施例中,即,在初级辐射是X射线辐射的X射线成像设备中,本发明提供X射线探测器的精确校准而不需要利用X射线辐射来照射X射线探测器。而是,利用UV辐射作为次级辐射的照射提供了可用于校准的所期望的空间次级增益分布图像。

    用于探测电磁辐射的探测器单元

    公开(公告)号:CN102597806A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201080049634.6

    申请日:2010-10-27

    Inventor: M·西蒙 W·吕腾

    CPC classification number: G01T1/247 H04N5/32 H04N5/35545 H04N5/3559 H04N5/3745

    Abstract: 根据本发明的示范性实施例,可以提供一种用于探测电磁辐射的探测器单元301。所述探测器单元301可以包括适于将撞击的电磁辐射转换成电荷载流子的转换材料332。此外,所述探测器单元301还可以包括适于收集所转换的电荷载流子的电荷收集电极331以及适于在所收集的电荷载流子的基础上估算电磁辐射的估算电路312、313、314。此外,所述探测器单元301可以包括半导体373,所述半导体可以电耦合于电荷收集电极331和估算电路312、313、314之间。

    基于闪烁体的具有耗尽电子漂移区域的X射线敏感集成电路元件

    公开(公告)号:CN101517435A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200780033933.9

    申请日:2007-09-06

    CPC classification number: G01T1/2018

    Abstract: 描述了一种集成电路设计和制造其的方法,用于高效率、低噪声、位置敏感的X射线检测,尤其是用于医疗应用。该装置(350)基于用X射线敏感闪烁体材料填充的深凹陷(354)。在衬底(352)的分开两个相邻的凹陷(354)的侧壁的表面上形成浅的第一电极(360)。该侧壁电极(360)与特定的前侧晶片电极(363)结合造成:整个装置(350)的完全耗尽,并朝向低电容读出电极(363)移动信号电荷。所述的集成电路元件(350)确保了不依赖深度的高的光收集效率。

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