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发明公开
基于闪烁体的具有耗尽电子漂移区域的X射线敏感集成电路元件无效

公开(公告)号：CN101517435A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780033933.9

申请日：2007-09-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·雄斯基 , M·西蒙

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 描述了一种集成电路设计和制造其的方法，用于高效率、低噪声、位置敏感的X射线检测，尤其是用于医疗应用。该装置(350)基于用X射线敏感闪烁体材料填充的深凹陷(354)。在衬底(352)的分开两个相邻的凹陷(354)的侧壁的表面上形成浅的第一电极(360)。该侧壁电极(360)与特定的前侧晶片电极(363)结合造成：整个装置(350)的完全耗尽，并朝向低电容读出电极(363)移动信号电荷。所述的集成电路元件(350)确保了不依赖深度的高的光收集效率。

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