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公开(公告)号：CN108604523B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201780008729.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/248 , H01J37/317
Abstract: 一种离子束装置中污染控制的装置、系统和方法。所述装置可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含：停止元件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止元件；以及控制组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止元件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636196A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680027712.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 威廉·戴维斯·李 , 史费特那·B·瑞都凡诺
Abstract: 一种装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。
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公开(公告)号：CN107636196B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680027712.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 威廉·戴维斯·李 , 史费特那·B·瑞都凡诺
Abstract: 一种处理装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。本发明的处理装置可在一次基板扫描中于基板上沉积多个膜层，且可邻近等离子体室来提供基板。
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公开(公告)号：CN106663582B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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公开(公告)号：CN107851562A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039913.1
申请日：2016-07-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/3026 , H01J2237/20214 , H01J2237/31761 , H01J2237/31766 , H01L21/265 , H01L21/425
Abstract: 本发明公开用于选择性处理工件的特定部分的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。
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公开(公告)号：CN107408487A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015153.0
申请日：2016-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 史费特那·B·瑞都凡诺 , 威廉·戴维斯·李
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
Abstract: 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的设备。所述设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。
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