公开(公告)号：CN106663582A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580044598.7

申请日：2015-08-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  克里斯多夫·鲁波利 ,  威廉·戴维斯·李 ,  法兰克·辛克莱 ,  詹姆斯·皮克斯利

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H05H5/06

CPC classification number: H01J37/3007 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/0815 ,  H05H5/063

Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。

公开(公告)号：CN106663582B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201580044598.7

申请日：2015-08-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  克里斯多夫·鲁波利 ,  威廉·戴维斯·李 ,  法兰克·辛克莱 ,  詹姆斯·皮克斯利

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H05H5/06

CPC classification number: H01J37/3007 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/0815 ,  H05H5/063

Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。

公开(公告)号：CN208111395U

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201820390446.3

申请日：2018-03-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾立克·赫尔曼森 ,  菲力浦·莱恩 ,  詹姆斯·皮克斯利

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

Abstract: 本实用新型提供一种离子植入系统和静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本实用新型通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。