公开(公告)号：CN107851562B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201680039913.1

申请日：2016-07-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 马克·R·亚玛多 ,  威廉·戴维斯·李 ,  吉莲·雷诺

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开用于选择性处理工件的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。

公开(公告)号：CN107851562A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680039913.1

申请日：2016-07-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 马克·R·亚玛多 ,  威廉·戴维斯·李 ,  吉莲·雷诺

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31766 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

Abstract: 本发明公开用于选择性处理工件的特定部分的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。