公开(公告)号：CN118692936A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410762141.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 邱舜国 ,  李辉斌 ,  周璇 ,  周天彪 ,  钟泳生 ,  郭国强

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种测试片的制造方法及测试方法，包括：在碳化硅晶圆上生长氧化层；剥除所述氧化层；在碳化硅晶圆上生长栅氧化层；在生长好的栅氧化层上沉积多晶硅层；对多晶硅层进行刻蚀，以形成凹槽，在凹槽的两侧形成测试部；去除碳化硅晶圆上背离所述测试部一侧的多晶硅层和所述氧化层，在所述碳化硅晶圆远离所述测试部的一面上制作金属电极，从而形成测试片，本发明的测试片的制造方法解决了碳化硅功率场效应管器件的栅氧化层性能不方便检测的技术问题。

公开(公告)号：CN119400697A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411552548.7

申请日：2024-11-01

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  周璇 ,  陈慧 ,  陈铭杰

IPC: H01L21/28 ,  H10D64/01 ,  H10D64/00 ,  H10D64/62 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆背面欧姆接触制备方法、装置、设备和存储介质，包括：对经过正面工艺处理后的晶圆的背面进行金属化处理，以在晶圆的背面形成欧姆金属，其中，晶圆的背面包括芯片区域与划片道区域；基于预设的区域定位条件，对与划片道区域对应的欧姆金属不进行激光退火，同时对与芯片区域对应的欧姆金属进行激光退火，以在欧姆金属与晶圆之间形成欧姆合金；对与划片道区域对应的欧姆金属剥除。本申请公开的晶圆背面欧姆接触制备方法，解决了激光退火方式易导致激光的产能和寿命降低，且导致划片刀轮的寿命降低的问题，使得在后续切割时有效地延长了划片刀轮的寿命，并且激光退火的产能和激光寿命得到提高。

公开(公告)号：CN119133256A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411258657.8

申请日：2024-09-09

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 宋旋坤 ,  李辉斌 ,  周璇 ,  陈唯一

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供了一种功率二极管及其制备方法，该功率二极管包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧，具有第一掺杂类型；有源区，位于外延层中，有源区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区在第一方向上间隔分布有多行，并在第二方向上间隔分布有多列，第一掺杂区至少位于在第一方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第二掺杂区至少位于在第二方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区具有第二掺杂类型，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区浓度，第三掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。该功率二极管解决了现有技术中在高压下功率二极管的反向恢复时间被延长，降低器件的开关速度的问题。

公开(公告)号：CN119069538A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411565547.6

申请日：2024-11-05

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  陈铭杰 ,  周璇 ,  陈慧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。