公开(公告)号：CN115132576A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210790583.7

申请日：2022-07-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 谢梓翔 ,  李春艳 ,  廖勇波

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L27/02 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请提供了一种用于RC‑IGBT离子注入的掩膜结构以及其制作方法。用于RC‑IGBT离子注入的掩膜结构包括本体层和开设在本体层的多个开口，任意两个相邻的开口的中心点之间的间距相等。本方案中，通过将RC‑IGBT离子注入的掩膜结构的开口设计成均匀分布排列，使得各个开口之间的区域可以承担引导区的作用，不需要额外的引导区，因此，RC‑IGBT离子注入的掩膜结构不需要与RC‑IGBT的正面结构进行对准，从而该掩膜结构不受芯片面积的约束，可在多种面积IGBT的使用，进而解决现有技术中RC‑IGBT离子注入的掩膜结构不能适用不同面积的芯片的问题。

公开(公告)号：CN119907283A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411906647.0

申请日：2024-12-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张福胜 ,  谢梓翔 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/00 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明实施例提供了一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片，终端结构包括：N型衬底；设于N型衬底的结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环，结终端扩展区与结渐变掺杂区连接，结渐变掺杂区的深度沿远离结终端扩展区的方向渐变递减，多个场限环设于结渐变掺杂区远离结终端扩展区的一端，且多个场限环相对结渐变掺杂区的距离渐变递增；结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环内掺杂有P型离子；设于N型衬底的沟槽，沟槽设于距离结渐变掺杂区最远的场限环远离结渐变掺杂区的一侧。通过包括结终端扩展区、结渐变掺杂区、多个场限环、沟槽和多晶硅场板的复合终端结构，可以有效降低芯片最大电场强度，提升器件耐压性能。

公开(公告)号：CN118738132B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411230166.2

申请日：2024-09-04

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈昊宇 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。

公开(公告)号：CN117003565B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202310943667.4

申请日：2023-07-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘磊仁 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  王令

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/10

Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。

公开(公告)号：CN118763126B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411238021.7

申请日：2024-09-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈昊宇 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  谢梓翔 ,  马颖江

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。

公开(公告)号：CN118824967A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410821120.1

申请日：2024-06-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  刘磊仁 ,  廖勇波 ,  李春艳

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其制造方法、控制器和家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷基板、铜框架以及功率芯片，其中，所述陶瓷基板上开设有安装腔，所述铜框架内嵌于所述安装腔内。所述功率芯片安装于所述铜框架上，所述功率芯片产生的热量通过所述铜框架传递到所述陶瓷基板后，再通过所述陶瓷基板向外散发。由此，增加了陶瓷基板使得传递到铜框架上的芯片热量除了沿所述铜框架的底部传递之外，还可以沿所述铜框架的四侧进行热量传递，从而提高了所述智能功率模块的散热效率。

公开(公告)号：CN118676080A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410811208.5

申请日：2024-06-21

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王新颖 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括器件本体、塑封体以及散热柱，其中，所述塑封体对所述器件本体形成包裹，所述塑封体靠近所述器件本体的背面的端面上开设有导热孔。所述散热柱内嵌于所述导热孔内，且与所述导热孔螺纹固定。由此，可以在对所述器件本体进行封装时，增加所述塑封体的厚度，避免注塑不良。在此基础上通过导热性能优于所述塑封体的散热柱进行辅助散热，并提高了绝缘栅双极型晶体管的运行稳定性。

公开(公告)号：CN117630618A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311416648.2

申请日：2023-10-27

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 符广学 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R19/00 ,  G01R31/52

Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块试验系统和方法，包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位，所述封装模块用于封装所述智能功率模块，所述封装模块包括若干引脚，所述封装模块安装在所述插座工位中，所述封装模块的引脚接入电流表并将所述电流表接地，其中，在对所述封装模块进行试验时，所述电流表采集的所述封装模块的电流数据传输至所述监控单元，所述监控单元根据所述电流数据对所述封装模块进行漏电监控。本发明实施例可以在对智能功率模块进行试验的过程中，对试验过程中的电流数据进行监控。

公开(公告)号：CN117423626A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311302533.0

申请日：2023-10-09

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖鹤鸣 ,  吴佳蒙 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆加工方法和晶圆，所述晶圆加工方法包括在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品；本发明实施例通过增加晶圆衬底的隔离保护层和应力调整层，可以增强加工时晶圆抗翘曲强度，优化晶圆翘曲，且不对原晶圆产生影响，保证晶圆的生产质量。

公开(公告)号：CN117253803A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311143085.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 符广学 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H05K3/34 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请公开了一种焊接方法、装置、电子设备及智能功率模块。所述方法包括：确定待焊接芯片对应的焊料总用量和待焊接芯片在基板上的贴片位置；按照预设规则和焊料总用量，确定焊层的数量和各个焊层对应的焊料用量；将第i个焊层对应的焊料加热压制到所述贴片位置，待焊料降温固化后，得到第i个焊层，再将i+1个焊层对应的焊料加热压制到贴片位置，直至得到第N‑1个焊层；将第N个焊层对应的焊料加热压制到所述贴片位置，并将待焊接芯片贴片至第N个焊层对应的焊料的上表面；按照预设固化规则对第N个焊层对应的焊料进行降温固化，得到焊接有待焊接芯片的基板。本发明实施例可以降低焊层内产生空洞的概率，提高智能功率模块的可靠性。