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公开(公告)号：CN112670339A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910984806.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制造方法；氮化镓功率器件包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本发明的氮化镓功率器件及其制造方法采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652583A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959548.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，具体涉及一种封装器件及其生产方法。该封装器件包括引线框架和封装部，所述引线框架包括连接部和多个安装部，任意相邻的两个所述安装部均通过所述连接部连接，所述安装部具有芯片安装面，所述连接部具有贯穿孔，所述贯穿孔沿所述引线框架的厚度方向贯穿设置；所述封装部设置于所述连接部上所述芯片安装面所在的一侧，且所述封装部与所述贯穿孔封堵配合。本发明所提供的封装器件经后续加工过程后，所形成的封装器件单体的侧面能够形成有焊锡层，从而在该封装器件与电路板连接的过程中，保证封装器件与电路板之间具有较高的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN112447650A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910806941.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大的压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。
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公开(公告)号：CN112447532A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910820781.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。
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公开(公告)号：CN112331622A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910717761.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管模块的封装方法及模块，通过在散热基板上加工容纳槽，在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料，将衬底覆盖在焊料上，衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内，投影方向为垂直于衬底结合面的方向，再熔化焊料以形成位于凹弧面上且至少部分地位于容纳槽内的焊层，使得在衬底结合面的边线附近，衬板与散热基板之间的焊层的厚度增加，即散热基板和衬底之间在边缘位置处的焊层的厚度增加，使散热基板与覆盖在焊层上的衬底充分结合，避免在做高低温冲击试验、温度循环等温度急剧变化的可靠性试验极易出现边缘开裂、断层的现象，改善IGBT模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN110379720B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910625696.X
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/49 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种DCB衬板的制作方法，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。通过该方法制作的IGBT模块，克服了不同材质之间键合所导致的CTE值不匹配等问题，不但使键合更加牢固，还减少了模块在工作过程中产生的微裂纹等问题。
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公开(公告)号：CN112234030A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910635287.8
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/8252 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/02 , H01L27/088 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。
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公开(公告)号：CN112216666A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111163585A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111092335A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911268049.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01R13/514 , H01R33/00 , H01R12/71 , G01R1/04
Abstract: 本申请涉及一种电子元件连接器、电路板及电子设备，该电子元件连接器包括：多个基座，所述基座包括本体、所述本体内的插孔及装配于所述插孔内的插针，所述插针用于与电子元件引脚连接；以及，连接件，所述基座之间通过所述连接件活动连接。该技术方案可以根据电子元件引脚位置调节各个基座之间的位置关系，无需对每个电子元件单独制造电子元件连接器，或对现有电子元件连接器进行剪裁，降低制作电子元件连接器的时间成本、人力成本以及硬件成本，加快电子元件测试进度。另外，由于基座之间存在连接，在人为焊接简单且不易松动，电气连接性较好。
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