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公开(公告)号：CN119521686A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411322869.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种二极管、功率模块及电子设备，二极管包括基体层和设于基体层上的第一金属层和至少两个电阻；第一金属层包括第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极用于形成二极管的第一连接端子；第二金属电极与至少一个电阻连接，用于形成二极管的第二连接端子。从而，在第一金属电极电连接构成的电路结构中，二极管的阻值为二极管的自身的内阻，在第二金属电极电连接构成的电路结构中，二极管的阻值为二极管自身的内阻与第二金属电极所连接的电阻的阻值之和，因此使得二极管可以具有至少两种不同的阻值档位，适用于至少两种阻值范围的电路结构，有助于扩大二极管的适用范围。
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公开(公告)号：CN110970375B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201811149961.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN113053847B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN116203371A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310036588.5
申请日：2023-01-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 吴佳蒙
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率器件的筛选方法、装置、电子设备及存储介质，包括：通过获取功率器件在晶圆封装后通过静态电流进行检测的测试结果，基于测试结果确定功率器件满足预设质量要求时，根据生产质量需求调整静态电流，基于调整后的静态电流对功率器件进行检测，以筛选得到目标功率器件，以降低产品质量风险和提高器件普遍的使用寿命，准确定位功率器件异常原因。
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公开(公告)号：CN115132596A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210781089.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供了一种芯片的封装方法和封装结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、芯片结构以及金属层，其中，芯片结构位于衬底第一表面上，金属层位于衬底的第二表面上，第一表面与第二表面相对；在金属层远离衬底的表面上形成第一导电胶层，得到目标晶圆；对目标晶圆进行切割以及封装。该方法通过在衬底第二表面的金属层上形成第一导电胶层，可以增加目标晶圆的厚度，减小金属层的应力，因此，降低晶圆因太薄切割裂片的风险以及运输时容易碎片的风险，进而解决了现有技术中晶圆切割和运输过程中容易出现裂片或碎片的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053847A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN118943011A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410960983.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种功率器件的制备方法及功率器件，所述方法包括：对晶圆中第一表面上的原始光刻胶层进行第一光刻处理，得到第一光刻胶层；基于第一光刻胶层中的第一图案，对第一光刻胶层和第一区域进行一次干刻处理，在晶圆的所述第一区域处形成第一沟槽；对一次干刻处理后的第一光刻胶层进行第二光刻处理，得到第二光刻胶层；基于第二光刻胶层中的第二图案，对第二光刻胶层、第二区域和第一沟槽进行二次干刻处理，得到第二沟槽；基于包含第二沟槽的晶圆，制备功率器件。本申请实施例可以通过二次干刻处理将晶圆中一次干刻处理形成的损伤层去除，提高了功率器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115621205A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211311401.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构及半导体封装方法，半导体封装结构包括：封装壳，封装壳具有容纳腔和与容纳腔连通的散热口；框架部，框架部的一部分设置在容纳腔内，框架部的另一部分凸出于封装壳外；芯片结构，芯片结构位于在容纳腔内，芯片结构设置在框架部上；导热部，导热部的至少一部分穿设在散热口内并和框架部接触，导热部用于将芯片结构产生的热量导出。采用该方案，通过在封装壳上设置散热口，保证注塑的可靠性，进一步地，通过穿设在散热口内的导热部实现对容纳腔内芯片结构产生的热量的传递，使得容纳腔内的热量能够通过导热部从容纳腔内传出，保证半导体封装结构的散热效果和散热的可靠性。
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公开(公告)号：CN115274587A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210933859.2
申请日：2022-08-04
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/40 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种封装结构、封装方法及半导体器件，该封装结构包括封装器件与包裹在所述封装器件外的封装层，所述封装层至少由两种导热系数不同的封装材料制成，导热系数高的一种或多种所述封装材料形成所述封装层的导热部。基于本发明的技术方案，采用在封装层上形成高导热系数制成的导热部的技术方案，在实现将封装器件的热量快速传递出来的同时，不需要减薄封装层整体的厚度，可以避免因厚度减薄而带来的封装层注塑不良的问题，保证封装结构的绝缘性。
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公开(公告)号：CN113745195A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111158561.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本申请涉及一种半导体芯片及半导体芯片的制作方法，其中，所述半导体芯片包括：晶圆、层间介质、缓冲层和金属层；所述晶圆的顶部淀积有所述层间介质；所述层间介质的顶部淀积有所述缓冲层；所述缓冲层的顶部镀有所述金属层。本申请用以解决现有技术中因应力的影响导致芯片的性能降低的问题。
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