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公开(公告)号：CN101121521A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710062279.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B35/00 , C01B31/00 , C01B21/082 , H01B1/00
Abstract: 本发明涉及一种粉末状B－C－N前驱物及其制备方法。所述B－C－N前驱物的化学成分为：B 2～30at％，C 30～50at％，N 10～35at％；粉末状B－C－N前驱物为非晶结构，外观为黑色粉末状。该前驱物采用三聚氰胺的热解产物和三氯化硼为原料，经500～600℃和1400～1600℃两步高温热解过程制备获得，可用于高温高压条件下制备B－C－N化合物。B、C、N三种元素比例可控，粉末状B－C－N前驱物制备过程操作比较简单，成本相对低廉。
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公开(公告)号：CN101100385A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710062296.X
申请日：2007-07-14
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/645 , H01B12/00 , B01J3/06
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一组Mg1-xCaxB2(0＜x＜0.07)系列化合物及其制备方法。其特征是：所述化合物具有与MgB2相同的六方结构，Mg1-xCaxB2的晶格常数a和c值随Ca含量的增加而单调增加，其超导转变温度随Ca含量的增加呈单调下降。其制备方法是：采用纯Mg、B和Ca3B2N4作为原料，Ca3B2N4作为Ca源，将试样(1)按比例混合压成圆片用钽片(2)包裹，放入石墨加热管(5)中，然后将石墨加热管装入高压组装腔内，先将压力升至4-5GPa，再升温至1000-1200℃，保温保压0.5-1小时后，将温度降至室温后卸掉压力，即可得到Mg1-xCaxB2化合物。本发明以Ca3B2N4作为Ca源，与纯Mg和纯B按比例混合，在高温高压下合成得到了系列Mg1-xCaxB2(0＜x＜0.07)化合物。
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公开(公告)号：CN1920121A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610048112.X
申请日：2006-08-03
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种新型二元CaB4化合物晶体及其制备方法。CaB4化合物晶体的外观为具有金属光泽的黑色晶体，其化学成分为：Ca∶B＝1∶4，晶体结构为四方结构，空间群为P4/mbm，晶格参数a＝b＝0.7174nm，c＝0.4103nm，具有金属性质。其制备方法是：(1)将纯Ca和B按1∶4比例配制，在Ar气的环境下充分混合压片，外包Ta片；(2)经过1200～1600℃高温和1～6GPa高压处理后，用稀盐酸溶掉剩余的Ca和CaO，得到CaB4化合物晶体。这种新型非金属材料极有可能成为一种新型电子元件的制造材料。
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公开(公告)号：CN1159213C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02104856.8
申请日：2002-02-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3，其特征是：外观为白色晶体粉末，其化学成分为：B40-60%、C10-30%、N10-30%，晶体结构为正交结构，晶格参数a＝0.45～0.49nm，b＝0.44～0.47nm，c＝0.34～0.38nm.具有光致发光性质：在紫外光激发下发射出蓝紫光，发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。
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公开(公告)号：CN1382622A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02104856.8
申请日：2002-02-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3,其特征是:外观为白色晶体粉末,其化学成分为:B 40－60%、C 10－30%、N 10－30%,晶体结构为正交结构,晶格参数a=0.45～0.49nm,b=0.44～0.47nm,c=0.34～0.38nm。具有光致发光性质:在紫外光激发下发射出蓝紫光,发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116143518B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111397981.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法。该金刚石/非晶碳复合材料由非晶碳连续相和嵌在非晶碳连续相中的金刚石颗粒组成，其中金刚石颗粒表现出有序的sp3杂化态，非晶碳连续相表现出无序的sp2杂化态。本发明还公开一种制备上述金刚石/非晶碳复合材料的工艺方法。该工艺方法包括以sp3碳粉体或玻璃碳为原料通过烧结获得所述材料。该金刚石/非晶碳复合材料显示出良好的导电特性以及良好的电火花加工能力，化学稳定性好且质地较轻，在航空航天、汽车工业和生物医学设备中有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114751748B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210269742.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法。具体地，本申请提供了一种高强致密的类洋葱碳块材，其中所述高强致密的类洋葱碳块材由类洋葱结构基元构成，密度为1.9‑2.3g/cm3。本申请还提供一种制备本申请高强致密的类洋葱碳块材的方法。本申请高强致密的类洋葱碳块材中的类洋葱碳结构基元尺寸小于100nm，烧结致密，因此具有高强度、高密度以及高导电性，可以替代石墨材料进行应用。
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公开(公告)号：CN115925420A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111168176.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B38/00 , C04B35/628 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法。具体地，本申请提供了一种多孔碳块体材料，其中，所述多孔碳块体材料的孔径范围为3‑100nm，孔隙率为50‑87％，且所述多孔碳块体材料中的孔为闭孔。本申请还提供一种制备本申请多孔碳块体材料的方法。本申请的多孔碳块体材料的孔径小、孔隙率高且气孔均为闭孔，因而，同时具有高强度和高弹性，且具有高密封性和低密度，可以用作密封材料。
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公开(公告)号：CN114763307A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110053337.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种层状碳晶界相增韧的金刚石复相材料及其制备方法。该材料包括两种典型组织结构：一种是当层状碳晶界相分布于金刚石晶粒周围时，材料的硬度达到30～50GPa，断裂韧性达到5～12MPa·m1/2；另一种是当层状碳晶界相只存在于金刚石颗粒交汇处时，材料的硬度达大于50GPa，断裂韧性大于12MPa·m1/2。本发明还公开一种制备上述层状碳晶界相增韧的金刚石复相材料的工艺。该工艺包括，通过无压或高温高压烧结等方法，以一种或多种相结构的碳为原料，形成了以金刚石为主相，层状碳为晶界相的烧结块材。
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公开(公告)号：CN114751748A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210269742.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法。具体地，本申请提供了一种高强致密的类洋葱碳块材，其中所述高强致密的类洋葱碳块材由类洋葱结构基元构成，密度为1.9‑2.3g/cm3。本申请还提供一种制备本申请高强致密的类洋葱碳块材的方法。本申请高强致密的类洋葱碳块材中的类洋葱碳结构基元尺寸小于100nm，烧结致密，因此具有高强度、高密度以及高导电性，可以替代石墨材料进行应用。
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