公开(公告)号：CN1397486A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02104857.6

申请日：2002-02-15

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  何巨龙 ,  于栋利 ,  刘世民 ,  李东春

IPC: C01B21/00 ,  C01B35/02

Abstract: 本发明涉及一种乱层石墨结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物及其化学制备方法。这种乱层石墨结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物具有乱层石墨结构，其化学成分为：B40～60％、C10－30％、N10－30％。本发明可以提供一种高硼含量B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物及其制备方法，这种化合物可以作为高温高压、冲击合成等方法合成高硼含量B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3晶体的前驱物或制备高硼含量B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3功能薄膜用的靶材。

公开(公告)号：CN1159213C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02104856.8

申请日：2002-02-15

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  何巨龙 ,  于栋利 ,  刘世民 ,  李东春

IPC: C01B21/00 ,  C01B35/02 ,  C30B29/38 ,  B01J3/06

Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3，其特征是：外观为白色晶体粉末，其化学成分为：B40-60%、C10-30%、N10-30%，晶体结构为正交结构，晶格参数a＝0.45～0.49nm，b＝0.44～0.47nm，c＝0.34～0.38nm.具有光致发光性质：在紫外光激发下发射出蓝紫光，发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。

公开(公告)号：CN1382622A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02104856.8

申请日：2002-02-15

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  何巨龙 ,  于栋利 ,  刘世民 ,  李东春

IPC: C01B21/00 ,  C01B35/02 ,  C30B29/38 ,  B01J3/06

Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3,其特征是:外观为白色晶体粉末,其化学成分为:B 40－60%、C 10－30%、N 10－30%,晶体结构为正交结构,晶格参数a=0.45～0.49nm,b=0.44～0.47nm,c=0.34～0.38nm。具有光致发光性质:在紫外光激发下发射出蓝紫光,发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。