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公开(公告)号：CN111798917A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010619291.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请公开了一种存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法，包括：获取所述存储器单粒子效应的动态测试结果；将所述动态测试结果中的错误数据按所述存储器的读周期逐行保存为二维数组，一个读周期对应于所述二维数组中的一行；对所述二维数组中的元素从最后一行开始按行遍历排查，删除每一行中相对上一行中重复出现的元素，得到第一数组。通常本申请所述的数据处理方法，可以对存储器单粒子效应动态测试结果中大量重复出现的错误数据进行删减,从而有效缩减测试结果的数据量，以方便对结果数据的后续处理和传输。
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公开(公告)号：CN108037434A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711289526.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种VDMOS器件的安全工作区域确定方法及装置，属于辐射效应及加固技术领域。解决无法准确定位半导体器件的单粒子敏感区域以及不同剂量下半导体器件安全工作区域与单粒子敏感性的变化趋势问题。包括：将开盖VDMOS器件设置在镜头视场内，进行第一次栅应力测试，确定第一栅极电流；进行第一次转移特性测试；通过激光微束扫描当漏极电压降低时，或确定第一栅极电流发生突变，或第一漏极电流发生突变，将当前扫描区域确定为单粒子效应敏感区域；进行第二次栅应力测试，将第二次栅应力测试的结果与第一次栅应力测试结果进行对比；并将进行第二次转移特性测试的测试结果与第一次转移特性测试的测试结果进行对比，确定单粒子效应类型。
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公开(公告)号：CN107358977A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710511158.9
申请日：2017-06-29
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，包括如下步骤：对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。本发明通过使用X射线进行单粒子软错误的试验方法证实了纳米级器件在X射线辐照过程中，所产生的次级电子，可以导致器件发生翻转，相比于以前的研究，对纳米级器件的单粒子效应的研究，增加了一种地面模拟源，相比于其它辐射源，具有剂量率控制准确、辐照易于屏蔽、无辐射残留，机时容易获得的优点。
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公开(公告)号：CN111460655B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010244460.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
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公开(公告)号：CN112395823B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011286350.0
申请日：2020-11-17
IPC: G06F30/398 , H01L27/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106992782B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201710117673.9
申请日：2017-03-01
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及一种定时同步DAC静态参数测试方法。该方法在数字输入模块与模拟采集模块无法共享时钟与触发信号的情况下，以运行于控制器上的软件程序依次调度数字输入模块与模拟采集模块，并控制相对时延，实现DAC静态参数测试过程中模拟采集模块的信号采集与数字输入模块的数字信号输入之间的同步。本发明在硬件设备无法共享时钟与触发信号的限制下，实现了DAC静态参数测试模拟采集与数字输入的同步，降低了DAC测试对硬件设备的功能要求，整个测试过程在控制器控制下完全自动化执行。以此测试方法可通过经济适用的小型设备实现DAC的静态参数自动化测试，为一些特殊场景的DAC静态参数测试如总剂量效应实验等提供小型化、经济适用测试方案。
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公开(公告)号：CN110187251B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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公开(公告)号：CN112395823A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011286350.0
申请日：2020-11-17
IPC: G06F30/398 , H01L27/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。
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公开(公告)号：CN111814334A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010653213.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
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