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公开(公告)号：CN117795794A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055441.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/11
Abstract: 本发明的相位调制层的设计方法是作为包括发光部和与所述发光部光学耦合的相位调制层的iPMSEL的发光元件的所述相位调制层的设计方法，具备生成所述相位调制层的设计图案的生成工序，所述相位调制层包括基本层、及折射率与所述基本层不同且在与该相位调制层的厚度方向垂直的面内二维状地分布的多个异折射率区域，所述生成工序包括：生成第1设计图案的第1工序，该第1设计图案是用于设计所述异折射率区域使得所述异折射率区域的分布成为与所述发光元件的输出的光学图像对应的分布的图案，并包含与所述光学图像的亮点对应的亮点；及从所述第1设计图案生成第2设计图案的第2工序，其通过将在所述第1工序中生成的第1设计图案分割为多个区域，并进行剔除包含于各个该区域的多个亮点中的至少1个亮点的处理。
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公开(公告)号：CN117178447A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029667.7
申请日：2022-03-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本公开的面发光激光元件具备：第1电极；下部包层；活性层；上部包层；缓和层；接触层，其具有与上部包层不同的带隙；第2电极；以及光子晶体层，其设置于下部包层和活性层之间、或者活性层和上部包层之间，包含基本区域、以及与基本区域折射率不同且在与厚度方向垂直的面内二维状地分布的多个异折射率区域，并且在面内形成光的共振模式。缓和层具有上部包层的带隙和接触层的带隙之间的大小的带隙。
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公开(公告)号：CN116724403A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202180084761.8
申请日：2021-09-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0232
Abstract: 受光元件(1)具备：基板(2)，其包含至少1个受光区域(10)，具有供光入射的光入射面(2a)；以及超透镜(3)，其形成于基板(2)的光入射面(2a)，以将入射至光入射面(2a)的光聚光。在从基板(2)的厚度方向(Z轴方向)观察的情形时，超透镜(3)形成为，与和受光区域(10)相邻的相邻区域(R1)及周缘区域(R2)两者重叠，上述周缘区域(R2)为与相邻区域(R1)连续且沿着受光区域(10)的外缘的受光区域(10)的内侧的区域。在从Z轴方向观察的情形时，于在光入射面(2a)中与受光区域(10)的中央区域重叠的区域，设置有未形成超透镜(3)的非形成区域(R3)。
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公开(公告)号：CN113810671A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110667871.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本公开的图像输出装置使立体图像的扩大变得容易。该图像输出装置具有空间调制器、图像照射部以及寻址光照射部。空间调制器具有主面、背面以及多个像素，反射照射于主面的光并且对每一个像素调制光的相位。图像照射部在主面照射包含二维光学图像的光。寻址光照射部在背面照射包含衍射光栅图案的寻址光。空间光调制器的各像素根据从背面侧照射的寻址光的强度而使相位调制量变化。寻址光照射部以使在背面的衍射光栅图案的方向动态地变化的方式构成。图像照射部在主面照射对应于衍射光栅图案的方向的二维光学图像。
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公开(公告)号：CN112640234A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056016.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式涉及能够从S‑iPM激光的输出光除去0次光的发光装置。该发光装置具备活性层和相位调制层。相位调制层包含基本层和多个不同折射率区域。在相位调制层上设定了假想的正方晶格的状态下，各不同折射率区域的重心从对应的晶格点离开，且决定各不同折射率区域的重心的位置的各晶格点周围的旋转角度根据用于光学图像形成的相位分布而设定。晶格间隔和发光波长满足相位调制层的倒易晶格空间中的M点振荡的条件。形成在倒易晶格空间上且分别包含与输出光的角度扩展对应的波数扩展的4个方向的面内波数矢量中的至少1个的大小小于2π/λ。
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公开(公告)号：CN111247705A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880067956.X
申请日：2018-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本发明提供一种能够形成有用的光束图案的半导体发光元件。该半导体激光元件(LD)具备活性层(4)、夹持活性层(4)的一对包层(2、7)、以及与活性层(4)光学耦合的相位调制层(6)。相位调制层(6)具备基本层(6A)、以及与基本层(6A)的折射率不同的多个差异折射率区域(6B)，通过使相位调制层(6)中的差异折射率区域(6B)为期望的配置，可以出射包含有不伴随0次光的暗线的激光。
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公开(公告)号：CN105191028A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013107.8
申请日：2014-03-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01S5/0092 , G02F1/3544 , G02F1/3551 , G02F1/3558 , G02F1/37 , G02F2001/3548 , H01S5/02248 , H01S5/02446 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187
Abstract: 在激光装置中，光子晶体层的不同折射率区域(6B)被配置于正方格子的格子点位置，各个不同折射率区域(6B)的平面形状为大致等腰直角三角形的情况下，构成其直角的2边沿着正方格子的纵以及横格子线，平行或者垂直于该三角形的斜边的方向与非线性光学晶体(NL)的周期极化反转结构中的极化的方向一致。
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公开(公告)号：CN103988379A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060429.9
申请日：2012-12-05
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/50
CPC classification number: H01S5/105 , H01S5/0425 , H01S5/06243 , H01S5/1085 , H01S5/1218 , H01S5/323 , H01S5/34313 , H01S5/4056
Abstract: 对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分，在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下，相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成，这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定，另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
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