知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

19 records (took 0.026 seconds)

    紫外传感器
    11.
    发明授权
    紫外传感器 失效

    公开(公告)号：CN100399585C

    公开(公告)日：2008-07-02

    申请号：CN200310119906.7

    申请日：2003-11-25

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 新垣实 ,  高木康文 ,  中嶋和利 ,  铃木良孝 ,  铃木伸治

    IPC: H01L31/09 ,  H01L31/102 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02

    CPC classification number: G01J1/429 ,  H01L2224/48465

    Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5，在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭，它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1-x)N(0＜x＜1)的一光吸收层9。

    半导体装置
    12.
    发明公开
    半导体装置 无效

    公开(公告)号：CN101192642A

    公开(公告)日：2008-06-04

    申请号：CN200710196173.5

    申请日：2007-11-29

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  中嶋和利 ,  菅博文

    IPC: H01L33/00 ,  H01L31/08

    CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/305 ,  Y02E10/544

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。

    光检测器
    16.
    发明公开
    光检测器 失效

    公开(公告)号：CN104303030A

    公开(公告)日：2015-01-21

    申请号：CN201380025442.5

    申请日：2013-05-10

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 中嶋和利 ,  新垣实 ,  广畑彻 ,  山下博行 ,  赤堀亘 ,  藤田和上 ,  田中和典

    IPC: G01J1/02 ,  H01L31/10

    CPC classification number: H01L31/02327 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1035

    Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含电子被激发的活性区域(4b)和输送电子的喷射区域(4c)，活性区域(4b)在量子级联结构中相对于喷射区域(4c)被形成于一侧的最表面。

    光电阴极
    18.
    发明授权
    光电阴极 失效

    公开(公告)号：CN1959895B

    公开(公告)日：2010-05-12

    申请号：CN200610142778.1

    申请日：2006-10-31

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 中嶋和利 ,  新垣实 ,  望月智子 ,  广畑彻

    IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

    CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J2201/3423

    Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。

Patent Agency Ranking