公开(公告)号：CN114695589A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111580978.6

申请日：2021-12-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 董伟

IPC: H01L31/09 ,  G01N21/25

Abstract: 光检测器(1A)具备：第1导电型的半导体基底部(2)，其具有第1面(2a)以及第2面(2b)，并且设置有从第2面(2b)突出的凸部(7)；第1金属电极层(4)，其设置于半导体基底部(2)的第1面(2a)或第2面(2b)；第2导电型的半导体层(第2半导体层5)，其具有：覆盖半导体基底部(2)的第2面(2b)的第1部分(11)、和覆盖凸部(7)的侧面(7b)的第2部分(12)；以及第2金属电极层(6)，其以夹着凸部(7)以及第2半导体层(5)的第2部分(12)的方式，紧贴于第2半导体层(5)设置。通过凸部(7)、第2半导体层(5)的第2部分(12)、以及夹着它们的第2金属电极层(6、6)，来形成MIM谐振器(13)。

公开(公告)号：CN117894862A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311319439.6

申请日：2023-10-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 董伟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/105

Abstract: 光检测器(1)具备：第一导电型半导体层(2)；半导体光吸收层(3)，设置在第一导电型半导体层(2)上；和第二导电型半导体层(4)，设置在半导体光吸收层(3)上。在半导体光吸收层(3)的内部，与第二导电型半导体层(4)分离地设置有微细改性部(6)，微细改性部(6)通过使入射光(I)散射而在半导体光吸收层(3)的内部形成局部不均匀电场。

公开(公告)号：CN117766617A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311233638.5

申请日：2023-09-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中嶋和利 ,  藤原弘康 ,  董伟

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的光检测元件具备：N型的硅层，其形成为单晶状；P型的含锗层，其形成为多晶状，在与所述硅层之间形成异质PN结；第1电极，其与所述硅层电连接；和第2电极，其与所述含锗层电连接。

公开(公告)号：CN116779701A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310248150.3

申请日：2023-03-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 董伟 ,  广瀬和义

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 半导体器件(1A)具备：在一面(2a)侧具有包含凹部(4)而构成的凹凸结构(K)的半导体层(2)、设置于半导体层(2)的一面(2a)的第一电极膜(第一蒸镀膜)(3A)、以及设置于凹部(4)的底面(4c)的第二电极膜(第二蒸镀膜)(3B)，并设置有截面积相对于凹部(4)的开口部分(4b)侧的部分扩大的扩大部分(J)。

公开(公告)号：CN115911149A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210985719.X

申请日：2022-08-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 董伟

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明的光检测器(1A)具备：第1导电型半导体层(2)；半导体光吸收层(3)，其设置在第1导电型半导体层(2)上；散射体(4)，其以与半导体光吸收层(3)相接的方式，以入射光(I)的波长以下的宽度(W)设置，并且通过使入射光(I)散射而在半导体光吸收层(3)的内部形成局部不均匀电场；第2导电型半导体层(5)，其与散射体(4)隔开间隔地设置在半导体光吸收层(3)上；和引出电极(6)，与散射体(4)隔开间隔地设置在第2导电型半导体层(5)上，并且将通过局部不均匀电场的形成而在半导体光吸收层(3)产生的光电流引出。