公开(公告)号：CN104285135B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380025424.7

申请日：2013-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中嶋和利 ,  山西正道 ,  藤田和上 ,  新垣实 ,  广畑彻 ,  山下博行 ,  赤堀亘

IPC: G01J1/02 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02164 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1035

Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。

公开(公告)号：CN104303030A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025442.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中嶋和利 ,  新垣实 ,  广畑彻 ,  山下博行 ,  赤堀亘 ,  藤田和上 ,  田中和典

IPC: G01J1/02 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02327 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1035

Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含电子被激发的活性区域(4b)和输送电子的喷射区域(4c)，活性区域(4b)在量子级联结构中相对于喷射区域(4c)被形成于一侧的最表面。

公开(公告)号：CN104285135A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380025424.7

申请日：2013-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中嶋和利 ,  山西正道 ,  藤田和上 ,  新垣实 ,  广畑彻 ,  山下博行 ,  赤堀亘

IPC: G01J1/02 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02164 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1035

Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。