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公开(公告)号：CN110491834B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910383378.7
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 吉川敏行
IPC: H01L21/78 , B23K26/362
Abstract: 提供被加工物的加工方法，在照射激光束而对板状的被加工物进行加工时抑制加工不良的产生。该被加工物的加工方法对包含等间隔设定的N条(N是3以上的自然数)分割预定线的板状的被加工物进行加工，该方法包含如下的步骤：第1加工步骤，对与位于被加工物的最外侧的分割预定线的距离用2n×D(D是相邻的两条该第1分割预定线的距离、n是满足2n＜N的最大的自然数)表示的第1位置上所存在的第1分割预定线照射激光束而在被加工物上形成加工痕；以及第(k+1)加工步骤，对从与第k位置(k是n以下的自然数)的距离用2n‑k×D×m(m是自然数)表示的第(k+1)位置上所存在的该第1分割预定线中选择的该分割预定线照射该激光束而在该被加工物上形成加工痕。
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公开(公告)号：CN107527829B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201710455994.X
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供一种晶片的加工方法，对具有功能膜的晶片进行良好地分割。对具有多条分割预定线的晶片(W1)沿着分割预定线进行分割的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法构成为具有如下的步骤：利用切削刀具从晶片的正面(71)侧切入到晶片的厚度方向中途而沿着分割预定线形成多个切削槽(76)的步骤；以及从晶片的正面侧朝向切削槽内照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与晶片的背面(72)的功能膜(74)一同沿着切削槽分割成多个器件的步骤。
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公开(公告)号：CN113948419A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110784478.8
申请日：2021-07-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供加工装置，其容易进行在背面形成有加强部的晶片的背面上粘贴带而使晶片与框架成为一体的作业，将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含：晶片搬出机构，其将晶片搬出；晶片台，其支承晶片；框架搬出机构，其将框架搬出；框架台，其支承框架；带粘贴机构，其将带粘贴于框架上；有带框架搬送机构，其将有带框架搬送至晶片台；带压接机构，其将有带框架的带压接于晶片的背面上；框架单元搬出机构，其将压接了有带框架的带和晶片的背面的框架单元从晶片台搬出；加强部去除机构，其从框架单元的晶片切断并去除环状的加强部；无环单元搬出机构，其将去除了加强部的无环单元从加强部去除机构搬出；和框架盒台，其载置收纳无环单元的框架盒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103033130B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210367278.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L2221/00
Abstract: 一种激光加工装置的聚光光斑位置检测方法，包括：通过聚光器会聚的激光束的聚光光斑的设计值和板状物的厚度设定聚光器在Z轴方向的基准位置的基准位置设定步骤；设定对聚光器进行定位的检测位置的从起点到终点的多个Z轴方向位置的检测位置设定步骤；依次将聚光器定位于从起点到终点的检测位置，每当变更聚光器的检测位置时启动分度进给构件，以规定间隔分度进给，在聚光器的各检测位置在板状物分别形成规定长度的激光加工槽的激光加工槽形成步骤；通过摄像构件对在板状物形成的激光加工槽进行摄像的激光加工槽摄像步骤；以及使激光加工槽摄像步骤摄像的激光加工槽对应于该检测位置的从起点到终点的各检测位置显示于一条直线的激光加工槽显示步骤。
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公开(公告)号：CN111293083A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911219424.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法，形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤：框架单元准备步骤，准备如下框架单元：该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物，带粘贴在被加工物的背面上，具有延伸性，带的外周部粘贴于环状的框架；保护膜形成步骤，对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜；切断步骤，沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断；间隔扩展步骤，将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展，将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展；和蚀刻步骤，通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。
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公开(公告)号：CN110504213A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910393174.1
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制晶片分割时的加工不良的产生。该晶片的加工方法包含如下的工序：计算工序，根据由于激光束的照射而在晶片上产生的热传导的偏差的影响，确定在被照射激光束的分割预定线的两侧要确保的区域的大小，在将该区域中所包含的器件的列数设为N的情况下，计算满足N＜2n的最小的2n；2n加工工序，通过按照分割预定线的该最小的2n条的间隔对分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕；以及二等分加工序，反复进行通过对将分别包含在加工痕所划分的多个区域中的器件的列数二等分的分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕的工序，直至该加工痕所划分的区域中所包含的器件的列数为1。
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公开(公告)号：CN107546151A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710474178.3
申请日：2017-06-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/18 , B05B3/02 , B05D1/005 , B23K26/083 , B23K26/0869 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K37/0235 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/02041 , H01L21/02334 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 提供保护膜包覆装置和保护膜包覆方法，无论被加工物的状态如何都能够适当地形成保护膜。保护膜包覆装置包含：保护膜形成兼清洗部(50)，其在晶片(W)的正面上包覆保护膜，并对该保护膜进行清洗；包覆状态检测部(70)，其对包覆在晶片(W)的正面上的保护膜的包覆状态进行检测；以及控制部(90)，其对这些部件进行控制。控制部(90)根据来自包覆状态检测部的检测信号对保护膜的膜厚是否在规定的范围内进行判定，在判定为膜厚不在规定的范围内的情况下，使保护膜形成兼清洗部(50)进行动作而对包覆在晶片的正面上的保护膜进行清洗，并对正面实施根据膜厚而选择的预处理，然后再次使保护膜形成兼清洗部进行动作而在晶片的正面上包覆保护膜。
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公开(公告)号：CN107527829A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710455994.X
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/032 , H01L22/12
Abstract: 提供一种晶片的加工方法，对具有功能膜的晶片进行良好地分割。对具有多条分割预定线的晶片(W1)沿着分割预定线进行分割的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法构成为具有如下的步骤：利用切削刀具从晶片的正面(71)侧切入到晶片的厚度方向中途而沿着分割预定线形成多个切削槽(76)的步骤；以及从晶片的正面侧朝向切削槽内照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与晶片的背面(72)的功能膜(74)一同沿着切削槽分割成多个器件的步骤。
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