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公开(公告)号:CN111293083B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN201911219424.6
申请日:2019-12-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法,形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤:框架单元准备步骤,准备如下框架单元:该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物,带粘贴在被加工物的背面上,具有延伸性,带的外周部粘贴于环状的框架;保护膜形成步骤,对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜;切断步骤,沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断;间隔扩展步骤,将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展,将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展;和蚀刻步骤,通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。
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公开(公告)号:CN119175468A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202410766778.7
申请日:2024-06-14
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 池田裕喜
Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法,能够抑制器件的损伤。被加工物的加工方法包含如下的步骤:第一加工步骤,沿着多条第一分割预定线照射激光束而将被加工物分割成多个长条;以及第二加工步骤,在实施了第一加工步骤之后,沿着多条第二分割预定线照射激光束而将被加工物分割成多个芯片。在第一加工步骤中,对各条第一分割预定线从第一分割预定线的一端侧朝向另一端侧照射激光束,在第二加工步骤中,重复进行从一条第二分割预定线的一端侧朝向另一端侧照射了激光束之后从相邻的第二分割预定线的另一端侧朝向一端侧照射激光束的动作。
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公开(公告)号:CN111293083A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201911219424.6
申请日:2019-12-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法,形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤:框架单元准备步骤,准备如下框架单元:该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物,带粘贴在被加工物的背面上,具有延伸性,带的外周部粘贴于环状的框架;保护膜形成步骤,对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜;切断步骤,沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断;间隔扩展步骤,将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展,将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展;和蚀刻步骤,通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。
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公开(公告)号:CN115519256A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202210697301.9
申请日:2022-06-20
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 池田裕喜
IPC: B23K26/364 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法,在使用绿色激光束对晶片进行烧蚀加工而形成激光加工槽的情况下,抑制裂纹到达器件。该晶片的加工方法将对于绿色激光束具有吸收性的晶片利用脉冲状的绿色激光束进行加工,该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:第1激光加工步骤,在外周剩余区域形成环状的第1激光加工槽或第1激光加工孔;以及第2激光加工步骤,沿着各分割预定线按照通过第1激光加工槽或第1激光加工孔的方式以比第1激光加工步骤中的绿色激光束的输出低的输出向晶片照射绿色激光束,形成多个第2激光加工槽。
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公开(公告)号:CN115466547A
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202210464582.3
申请日:2022-04-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D129/04 , C09D139/06 , C09D201/00 , C09D5/32 , B23K26/00 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供激光加工用保护膜剂和被加工物的加工方法,该激光加工用保护膜剂能够在使用波长532nm的激光束进行加工的被加工物的被加工面形成适当的保护膜。激光加工用保护膜剂是由包含水溶性树脂、有机溶剂以及光吸收剂的溶液形成的激光加工用保护膜剂,该溶液在波长532nm的吸光度(换算成200倍稀释溶液后的吸光度)相对于每1cm光路长度为0.05以上;或者激光加工用保护膜剂由包含水溶性树脂、有机溶剂以及多羟基蒽醌衍生物的溶液形成。
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