公开(公告)号：CN109314143A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036414.1

申请日：2017-05-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川隆史 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体装置，具备半导体衬底(50)，该半导体衬底(50)形成有通过发射极层(13)、基极层(11)、漂移层(17)和集电极层(14)而作为IGBT进行动作的IGBT区域(10)，并与IGBT区域邻接地形成有通过阳极层(21)、漂移层和阴极层(22)而作为二极管进行动作的二极管区域(20)。在半导体衬底中，还在将邻接地形成有IGBT区域与二极管区域的元件区域包围的外周区域，在漂移层的表层部形成被施加与阳极层相同电位的电压的第二导电型的保护环(30)。将向与半导体衬底的表面平行的面进行了投影的情况下的阴极层与保护环之间的距离的最小值设为L、并将半导体衬底的厚度设为d时，阴极层与保护环形成在满足L/d≧1.5的位置。

公开(公告)号：CN103745979B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN102332468A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H02M7/515 ,  H02M1/36 ,  G01R19/00

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN109964317B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201780065823.4

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  住友正清 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在IGBT区域(1a)与二极管区域(1b)之间、即与二极管区域(1b)邻接的位置，设置与IGBT区域(1a)相比高浓度P型层的形成比例较小的边界区域(1c)。由此，在复原时，能够抑制从IGBT区域(1a)向二极管区域(1b)的空穴注入，并且由于形成在边界区域(1c)中的高浓度P型层的形成比例较小，所以还能够使从边界区域(1c)的高浓度P型层的空穴注入量变少。因而，能够抑制复原时的最大逆向电流Irr的增加，并且能够使阴极侧的载流子密度变低而抑制尾电流的增大。由此，能够做成不仅能够降低开关损失、对于复原破坏也耐受性较高的半导体装置。

公开(公告)号：CN103745979A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN103548147A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023653.0

申请日：2012-05-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木隆司 ,  户仓规仁 ,  白木聪 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  山田明

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/861

Abstract: 一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。

公开(公告)号：CN103187440A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210585132.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 芦田洋一 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393

Abstract: 一种具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件包括：第一导电类型漂移层（2）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型集电极区（4）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型沟道层（6）、在所述沟道层（6）的表面部分中形成的第一导电类型发射极区（7）、以及在所述漂移层（2）中形成并定位于所述集电极区（4）和所述发射极区（7）之间的空穴截断区（14）。空穴从所述集电极区（4）注入所述漂移层（2）中，并且通过空穴路径向所述发射极区（7）流动。所述空穴截断区（14）阻挡空穴流并使所述空穴路径变窄以使空穴聚集。

公开(公告)号：CN100530653C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa-ZDd)和电容器(Ca-Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN101136406A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN111344867A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073391.6

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  高桥茂树 ,  住友正清

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，在共通的衬底(10)形成有具有IGBT元件(3a)的IGBT区域(3)和具有FWD元件(4a)的FWD区域(4)，在阴极层(22)，形成有多个与第2电极(23)电连接并且与场截止层(20)构成PN结的载流子注入层(24)。并且，多个载流子注入层(24)中，如果将场截止层(20)的杂质浓度设为Nfs[cm-3]，将载流子注入层(24)的沿半导体衬底(10)的平面方向的最短部分的长度设为L1[μm]，则L1＞6.8×10-16×Nfs+20。