公开(公告)号：CN109314143B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201780036414.1

申请日：2017-05-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川隆史 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体装置，具备半导体衬底(50)，该半导体衬底(50)形成有通过发射极层(13)、基极层(11)、漂移层(17)和集电极层(14)而作为IGBT进行动作的IGBT区域(10)，并与IGBT区域邻接地形成有通过阳极层(21)、漂移层和阴极层(22)而作为二极管进行动作的二极管区域(20)。在半导体衬底中，还在将邻接地形成有IGBT区域与二极管区域的元件区域包围的外周区域，在漂移层的表层部形成被施加与阳极层相同电位的电压的第二导电型的保护环(30)。将向与半导体衬底的表面平行的面进行了投影的情况下的阴极层与保护环之间的距离的最小值设为L、并将半导体衬底的厚度设为d时，阴极层与保护环形成在满足L/d≧1.5的位置。

公开(公告)号：CN109314143A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036414.1

申请日：2017-05-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川隆史 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体装置，具备半导体衬底(50)，该半导体衬底(50)形成有通过发射极层(13)、基极层(11)、漂移层(17)和集电极层(14)而作为IGBT进行动作的IGBT区域(10)，并与IGBT区域邻接地形成有通过阳极层(21)、漂移层和阴极层(22)而作为二极管进行动作的二极管区域(20)。在半导体衬底中，还在将邻接地形成有IGBT区域与二极管区域的元件区域包围的外周区域，在漂移层的表层部形成被施加与阳极层相同电位的电压的第二导电型的保护环(30)。将向与半导体衬底的表面平行的面进行了投影的情况下的阴极层与保护环之间的距离的最小值设为L、并将半导体衬底的厚度设为d时，阴极层与保护环形成在满足L/d≧1.5的位置。