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公开(公告)号：CN103882402B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410146888.X
申请日：2008-11-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置（1），其串联连接多个对于被处理基板（S）进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路（15）、和相对于第一基板输送路（15）并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路（16），并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件（17）。
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公开(公告)号：CN105518179A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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公开(公告)号：CN102177577B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
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公开(公告)号：CN103038385B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180029637.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
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公开(公告)号：CN103422066A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310178846.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622374B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880006087.6
申请日：2008-02-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/34
Abstract: 在利用反应性溅镀法形成规定的薄膜时，以能够在整个处理基板表面上形成大致均匀的膜厚分布以及大致均匀的比电阻值等膜质的形态构成溅镀装置。在等间隔并列设置了相同数量的阴极靶31a～31h的多个溅镀室11a、11b之间，将处理基板S传送到与各阴极靶相向的位置，通过给该处理基板所在的溅镀室内的各阴极靶提供电力，使各阴极靶发生溅射，在处理基板表面上层叠出相同或不同的薄膜。此时，在彼此连续的溅镀室之间以使处理基板表面与各阴极靶彼此间的区域相向的位置错位的形态改变处理基板的停止位置。
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公开(公告)号：CN102177577A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
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公开(公告)号：CN101370958A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002208.5
申请日：2007-01-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3408 , H01J37/3444
Abstract: 提供一种采用AC电源的溅射装置，该装置能够不依赖于溅射装置的设置场所与交流电源的设置场所之间的距离，高精度地供电。在真空腔(11)内设置一对靶(41a、41b)和按照规定的频率交替改变极性地给该对靶施加电压的AC电源(E)。该AC电源(E)的结构分为能供电的供电部(6)和振荡部(7)，振荡部(7)具有与从该供电部引出的电力线连接的振荡用开关电路(72)。该振荡部与各靶通过母线(8)连接。
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公开(公告)号：CN104025278B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280064260.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/677 , C23C14/00 , C23C14/56 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/54 , H01L21/67017 , H01L21/67201
Abstract: 装载闭锁装置(1)具备：装载闭锁室(4)，其构成为内部能被真空排气，收纳处理对象物(S)；支撑台(13)，其收纳于装载闭锁室(4)的内部，支撑处理对象物(S)；以及慢速通气单元(15)，其设置于装载闭锁室(4)，向处于真空状态的装载闭锁室(4)的内部供应通气气体，使装载闭锁室(4)的内部切换为大气压状态。慢速通气单元(15)相对于支撑台(13)左右对称地配置。
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公开(公告)号：CN107419227A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710291819.1
申请日：2011-10-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置，包括支撑台和靶，该靶(C)包括：背板(104、214)，具有第一主面(104a、214a)和位于所述第一主面(104a、214a)相反侧的第二主面(104b、214b)；第一母材(105)，被配置在所述第一主面(104a、214a)；和第二母材(106)，被配置在所述第二主面(104b、214b)。
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