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公开(公告)号：CN111748793A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010211775.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/448 , H05B3/02 , H05B3/12 , H05B3/18 , H05B3/40 , C23C8/34 , B01J27/22 , B01J27/224
Abstract: 本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
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公开(公告)号：CN102171455A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138585.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 爱发科低温泵株式会社 , 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制臭氧在低温泵中的存留的真空排气装置、真空处理装置以及真空排气方法。为达到上述目的，本发明的一个实施方式的真空排气装置(1)包括：真空处理用的处理室(11)泵单元，该泵单元具有冷捕集器(161)与排气通路(13A)，所述冷捕集器(161)能够捕集排出气体，所述排气通路(13A)用于将所述排出气体从所述处理室(11)导向所述冷捕集器(161)；加热单元(20)，其使从所述处理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出气体中含有的臭氧在所述排气通路(13A)中产生热分解。
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公开(公告)号：CN100530546C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580011103.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源(6)和该加热电源(6)的各端子(6a)、(6b)间向反应容器(2)内的催化体(4)通入恒电流的导线(5a)、(5b)与反应容器(2)为电绝缘的状态，在已排气的反应容器(2)内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源(6)通电加热催化体(4)，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器(2)内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源(8)以适当的极性在加热电源(6)的导线(5b)上外加适当值的直流偏压。
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公开(公告)号：CN1842919A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000956.0
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。
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公开(公告)号：CN116584172A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180073300.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社爱发科
IPC: H10B69/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有优异的信息保存特性、高性能且能够在实际应用上实现量产的非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件(1)的特征在于：具有积层构造部，该积层构造部是将Al2O3层(4)与SiO2层(6)作为由不同组成形成的2个绝缘层交替地配置多个，且在所述绝缘层的各接合界面处配置由构成所述绝缘层的元素以外的金属元素M1与氧的化学键形成的0.5分子层～2.0分子层的O‑M1‑O层(5)，通过利用外部电刺激使在所述O‑M1‑O层(5)的附近诱发的界面偶极调制来存储信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111344431B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980005724.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/04 , B41F5/04 , B41F9/00 , B41F17/10 , B41M1/02 , B41M1/10 , B41M1/28 , B41M1/30 , B65H20/00 , C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/56
Abstract: 本发明提供一种收卷式成膜装置，其具有真空容器、膜行进机构、锂源以及第一辊。上述真空容器能够维持减压状态。上述膜行进机构能够在上述真空容器内使膜行进。上述锂源能够在上述真空容器内使锂蒸发。上述第一辊被配置在上述膜的成膜面和上述锂源之间。上述第一辊具有接收从上述锂源蒸发的上述锂的转印图案。上述第一辊一边旋转一边将与上述转印图案对应的锂层的图案转印到上述成膜面。
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公开(公告)号：CN107429387A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015597.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。
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公开(公告)号：CN102265407B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200980152288.1
申请日：2009-12-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/509 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/5096 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施钝化膜的成膜方法。
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公开(公告)号：CN102265407A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152288.1
申请日：2009-12-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/5096 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法和成膜装置、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施成膜方法，在形成钝化膜时实施该成膜方法。
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公开(公告)号：CN102187007A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140704.6
申请日：2009-10-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3408 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种可减少衬底层损伤的溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法。在本发明所述的溅射装置中，沿着排列在真空室内部的多个靶部Tc1～Tc5的排列方向依次使其产生溅射，以使在基板10的表面形成薄膜。因此本发明可以提高溅射粒子斜向射入基板表面的比例，这可有助于减少衬底层的损伤。
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