公开(公告)号：CN103422066B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310178846.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大谷佑介 ,  新井真 ,  仓田敬臣 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。

公开(公告)号：CN103422066A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310178846.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大谷佑介 ,  新井真 ,  仓田敬臣 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。