公开(公告)号：CN101622374B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880006087.6

申请日：2008-02-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 武井应树 ,  石桥哲 ,  清田淳也 ,  市桥祐次 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/34

Abstract: 在利用反应性溅镀法形成规定的薄膜时，以能够在整个处理基板表面上形成大致均匀的膜厚分布以及大致均匀的比电阻值等膜质的形态构成溅镀装置。在等间隔并列设置了相同数量的阴极靶31a～31h的多个溅镀室11a、11b之间，将处理基板S传送到与各阴极靶相向的位置，通过给该处理基板所在的溅镀室内的各阴极靶提供电力，使各阴极靶发生溅射，在处理基板表面上层叠出相同或不同的薄膜。此时，在彼此连续的溅镀室之间以使处理基板表面与各阴极靶彼此间的区域相向的位置错位的形态改变处理基板的停止位置。

公开(公告)号：CN101784694B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880103579.7

申请日：2008-08-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  清田淳也 ,  市桥祐次 ,  小岛雄司

IPC: C23C14/34 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/352

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，在抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的同时，防止薄膜形成速度的大幅度增加，能够对大面积的处理基板形成良好的薄膜。向在溅射室12内与处理基板S相对并且以规定间隔并列设置的多片靶41a至41h中分别成对的靶施加电力，并按照规定的频率交替改变极性，将各个靶转换为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电，形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地使向各个靶施加的功率减少。

公开(公告)号：CN101784694A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103579.7

申请日：2008-08-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  清田淳也 ,  市桥祐次 ,  小岛雄司

IPC: C23C14/34 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/352

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，在抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的同时，防止薄膜形成速度的大幅度增加，能够对大面积的处理基板形成良好的薄膜。向在溅射室12内与处理基板S相对并且以规定间隔并列设置的多片靶41a至41h中分别成对的靶施加电力，并按照规定的频率交替改变极性，将各个靶转换为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电，形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地使向各个靶施加的功率减少。

公开(公告)号：CN101622374A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006087.6

申请日：2008-02-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 武井应树 ,  石桥哲 ,  清田淳也 ,  市桥祐次 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/34

Abstract: 在利用反应性溅镀法形成规定的薄膜时，以能够在整个处理基板表面上形成大致均匀的膜厚分布以及大致均匀的比电阻值等膜质的形态构成溅镀装置。在等间隔并列设置了相同数量的阴极靶31a～31h的多个溅镀室11a、11b之间，将处理基板S传送到与各阴极靶相向的位置，通过给该处理基板所在的溅镀室内的各阴极靶提供电力，使各阴极靶发生溅射，在处理基板表面上层叠出相同或不同的薄膜。此时，在彼此连续的溅镀室之间以使处理基板表面与各阴极靶彼此间的区域相向的位置错位的形态改变处理基板的停止位置。