公开(公告)号：CN1252832C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03148711.4

申请日：2003-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  联晶半导体股份有限公司

Inventor： 石塚典男 ,  岩崎富生 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  高橋正人 ,  鈴木範夫 ,  池田修二 ,  田中英樹 ,  美馬宏行

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546

Abstract: 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。

公开(公告)号：CN1161837C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN97198006.3

申请日：1997-09-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  北野诚 ,  池田修三 ,  铃木范夫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 在具有沟槽隔离结构的半导体器件中，在用常规方法选择氧化沟槽结构之后，再次氧化衬底的整个表面，同时只有衬底或沟槽表面的氧化膜暴露出来，并给沟槽上端部附近的氧化膜的形状提供曲率半径。

公开(公告)号：CN1155070C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99804201.3

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1505839A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN01820204.7

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  大塚文雄 ,  一濑胜彦 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  尾内亨裕

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

公开(公告)号：CN1078012C

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN96103918.3

申请日：1996-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  萩原康秀 ,  太田裕之 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76202 ,  H01L29/518

Abstract: 通过在衬底上形成氧化膜，以800℃或以上的温度在惰性气氛中热处理氧化膜，接下来是形成晶体管的普通步骤，以此方法制作的半导体器件由于在氧化膜内或在衬底表面中产生的应力的减弱而在电学可靠性方而得到改善。

公开(公告)号：CN101009256A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006749.7

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清水浩也 ,  西村朝雄 ,  宫本俊夫 ,  田中英树 ,  三浦英生

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

公开(公告)号：CN1207767C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野龙治 ,  有贺昭彦 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  田中伸司 ,  伴直人 ,  青木英之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片，在随后的检查步骤中，对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺，由此可以提高检查效率并减少检查成本。

公开(公告)号：CN1574431A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061666.4

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岩崎富生 ,  三浦英生

IPC: H01M4/86 ,  H01M4/90 ,  H01M4/92 ,  H01M8/00 ,  H01M8/04

CPC classification number: H01M4/926 ,  F01N3/2053 ,  F01N13/009 ,  F01N13/0093 ,  H01M4/86 ,  H01M4/8636 ,  H01M4/90 ,  H01M4/921 ,  H01M2008/1095 ,  Y02E60/324

Abstract: 提供一种催化剂结构体和具有催化剂结构体的燃料电池，可以提高催化剂结构体的催化剂活性，且提高燃料电池的电池输出。该催化剂结构体的特征在于具有：导电膜、和在上述导电膜上形成的催化剂粒子，且构成上述导电膜的材料的晶格常数和构成上述催化剂粒子的材料的晶格常数的差≤16％。

公开(公告)号：CN1538515A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1293824A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN99804201.3

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。