公开(公告)号：CN1161837C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN97198006.3

申请日：1997-09-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  北野诚 ,  池田修三 ,  铃木范夫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 在具有沟槽隔离结构的半导体器件中，在用常规方法选择氧化沟槽结构之后，再次氧化衬底的整个表面，同时只有衬底或沟槽表面的氧化膜暴露出来，并给沟槽上端部附近的氧化膜的形状提供曲率半径。

公开(公告)号：CN1231064A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN97198006.3

申请日：1997-09-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  北野诚 ,  池田修三 ,  铃木范夫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 在具有沟槽隔离结构的半导体器件中,在用常规方法选择氧化沟槽结构之后,再次氧化衬底的整个表面,同时只有衬底或沟槽表面的氧化膜暴露出来,并给沟槽上端部附近的氧化膜的形状提供曲率半径。