公开(公告)号：CN100431166C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN03142566.6

申请日：2003-06-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田上知纪 ,  望月和浩 ,  山田宏治

IPC: H01L29/72

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L24/32 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/7371 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括：配置在所述表面上的半导体区，其中，从半导体区的靠近衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区，并且该半导体区与该衬底隔离；配置在所述表面上的绝缘保护层和布线层；配置在所述衬底的远离所述半导体区的一侧的布线层；和通过所述衬底的通孔，所述通孔可使所述衬底的远离所述半导体区的一侧上的布线层与发射极区的电极接触。

公开(公告)号：CN1409435A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02132376.3

申请日：2002-09-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 栗山哲 ,  田上知纪 ,  関根健治 ,  大西正已 ,  加贺谷修 ,  礒部敦

IPC: H01P1/30 ,  H01P3/08 ,  H01P5/08

CPC classification number: H04B1/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/30107 ,  H04B1/036 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/141 ,  H05K1/185 ,  H05K3/403 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4697 ,  H05K7/023 ,  H05K2203/061 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以使基板面积小型化和提高放热性的高频模块。本发明高频模块的特征是它具有第1基板10和第2基板20，在第1基板10的上面形成的凹部30中配置第1电路单元组，在第2基板20的上面配置第2电路单元组，具有当第1基板10和第2基板20上下连接时可以实现电耦合的电极端子60－a，60－b，具有通过将第1基板10和第2基板20上下连接起来形成高频模块的构造，进一步具有通过与在凹部30的底面和在第1基板10的下面形成的放热部分40连接的贯通孔50－a将从第1电路单元组放出的热传送到放热部分40的构造。

公开(公告)号：CN100477509C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02141412.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 关根健治 ,  田上知纪 ,  加贺谷修

IPC: H03F3/72 ,  H04B1/40

CPC classification number: H03F3/72 ,  H03F2200/429 ,  H03F2203/7236

Abstract: 为了提供减少在切换到不同输出电平时导致的相位变化的高频放大装置，在分支电路之后的各个路径的至少一个位置上提供可变移相器，分支电路根据期望输出电平在高输出侧的路径和低输出侧的路径之间切换，高输出侧的路径在输出级段上具有使用第一半导体器件的放大器，而低输出侧的路径在输出级段上具有使用第二半导体器件的放大器，其中输出级段上第二半导体器件的输出低于输出级段上第一半导体器件的输出。在分接之后，可变移相器的相位长度被设置成预定数值，使得在穿过各个路径时各个路径的传递相位长度基本相同。

公开(公告)号：CN100413212C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN02126221.7

申请日：2002-07-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加贺谷修 ,  大西正己 ,  关根健治 ,  田上知纪

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/20 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F3/602 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/302 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7231 ,  H03F2203/7236

Abstract: 为了提供一种小尺寸的高频功率放大器，用于通过少量的开关电路而防止振荡并且高效率地输出高功率和低功率的高频信号，还提供一种高频功率放大器模块和便携式电话，该高频功率放大器包括相并联的放大电路A和放大电路B，其中在放大电路B的输出级上的晶体管的尺寸等于或小于在放大电路A的输出级上的晶体管的尺寸的1/4，以及开关电路连接在从放大电路A的输出级引出的信号线与接地端之间。另外，当构成放大电路B的晶体管进入不工作状态并且开关电路截止时，放大电路A输出高功率的高频信号，以及当构成放大电路A的晶体管进入不工作状态并且开关电路导通时，放大电路B输出低功率的高频信号。

公开(公告)号：CN1474459A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN03142566.6

申请日：2003-06-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田上知纪 ,  望月和浩 ,  山田宏治

IPC: H01L29/72

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L24/32 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/7371 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔可使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。

公开(公告)号：CN1422455A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807552.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松本秀俊 ,  田上知纪 ,  田中聪 ,  山下喜市

IPC: H03F3/213 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F1/306 ,  H03F3/19 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/453

Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器，根据输入功率电平，对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大，作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。