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公开(公告)号：CN1167131C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN98808253.5
申请日：1998-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种装载有多个半导体裸芯片器件的基底金属基板，具有第1和第2主面，在第1主面上形成了至少一个凸部和用来决定裸芯片器件的装载位置的至少2个凹部。凹部的深度比凸部的长度大且具有比金属基板的主面更好的平滑度。金属基板被部分地进行化学刻蚀以形成凸部，同时还进行机械加工以形成第1主面。导电性的凸部与已装载上裸芯片器件的基板的部分进行隔离，在基底基板的第1和第2主面一侧，用做用来进行电连的外部端子。
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公开(公告)号：CN100431166C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN03142566.6
申请日：2003-06-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/72
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L24/32 , H01L29/0657 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/7371 , H01L2924/1305 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括：配置在所述表面上的半导体区，其中，从半导体区的靠近衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区，并且该半导体区与该衬底隔离；配置在所述表面上的绝缘保护层和布线层；配置在所述衬底的远离所述半导体区的一侧的布线层；和通过所述衬底的通孔，所述通孔可使所述衬底的远离所述半导体区的一侧上的布线层与发射极区的电极接触。
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公开(公告)号：CN1474459A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03142566.6
申请日：2003-06-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/72
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L24/32 , H01L29/0657 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/7371 , H01L2924/1305 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔可使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。
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公开(公告)号：CN1267396A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN98808253.5
申请日：1998-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种装载有多个半导体裸芯片器件的基底金属基板,具有第1和第2主面,在第1主面上形成了至少一个凸部和用来决定裸芯片器件的装载位置的至少2个凹部。凹部的深度比凸部的长度大且具有比金属基板的主面更好的平滑度。金属基板被部分地进行化学刻蚀以形成凸部,同时还进行机械加工以形成第1主面。导电性的凸部与已装载上裸芯片器件的基板的部分进行隔离,在基底基板的第1和第2主面一侧,用做用来进行电连的外部端子。
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