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公开(公告)号：CN1292610C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02141164.6
申请日：2002-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大器，其在高和低输出功率电平切换功率放大器单元期间不会引入射频损耗。通过将第一级匹配网络(M12)和第一级匹配网络(M13)连到通过切换其中一个可工作的功率放大器单元(A11)和(A12)对应的输出节点，将第一级匹配网络(M12)和(M13)的输出节点并连。将最后一级匹配网络(M11)连在(M12)和(M13)的结点和输出端(OUT)之间，为两个功率放大器(A11)和(A12)形成第一级匹配网络(M12)、(M13)和最后一级匹配网络(M11)，当一个单元处于工作中而其它单元停止工作时在输出端(OUT)和功率放大器单元之间建立阻抗匹配。本发明允许在功率放大器单元间切换而不需要射频开关。
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公开(公告)号：CN1252913C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01807552.5
申请日：2001-03-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0222 , H03F1/0261 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/306 , H03F3/19 , H03F3/1935 , H03F2200/318 , H03F2200/453
Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器，根据输入功率电平，对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大，作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。
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公开(公告)号：CN1407829A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141164.6
申请日：2002-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大器，其在高和低输出功率电平切换功率放大器单元期间不会引入射频损耗。通过将第一级匹配网络(M12)和第一级匹配网络(M13)连到通过切换其中一个可工作的功率放大器单元(A11)和(A12)对应的输出节点，将第一级匹配网络(M12)和(M13)的输出节点并连。将最后一级匹配网络(M11)连在(M12)和(M13)的结点和输出端(OUT)之间，为两个功率放大器(A11)和(A12)形成第一级匹配网络(M12)、(M13)和最后一级匹配网络(M11)，当一个单元处于工作中而其它单元停止工作时在输出端(OUT)和功率放大器单元之间建立阻抗匹配。本发明允许在功率放大器单元间切换而不需要射频开关。
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公开(公告)号：CN100536323C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN01810964.0
申请日：2001-08-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H03F3/19 , H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F3/347 , H03F2200/444
Abstract: 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs-HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs-HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs-HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs-HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。
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公开(公告)号：CN1407719A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02126221.7
申请日：2002-07-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F3/602 , H03F1/0277 , H03F1/302 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/429 , H03F2200/555 , H03F2203/7206 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7231 , H03F2203/7236
Abstract: 为了提供一种小尺寸的高频功率放大器，用于通过少量的开关电路而防止振荡并且高效率地输出高功率和低功率的高频信号，还提供一种高频功率放大器模块和便携式电话，该高频功率放大器包括相并联的放大电路A和放大电路B，其中在放大电路B的输出级上的晶体管的尺寸等于或小于在放大电路A的输出级上的晶体管的尺寸的1/4，以及开关电路连接在从放大电路A的输出级引出的信号线与接地端之间。另外，当构成放大电路B的晶体管进入不工作状态并且开关电路截止时，放大电路A输出高功率的高频信号，以及当构成放大电路A的晶体管进入不工作状态并且开关电路导通时，放大电路B输出低功率的高频信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1181844A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN95197819.5
申请日：1995-03-17
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司
IPC: H01L29/737
Abstract: 本发明涉及一种接触结构,不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管,也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔,其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层,在通孔中形成第二导电层,使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀,则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀,因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。
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公开(公告)号：CN1450652A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03110562.9
申请日：2003-04-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/205 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0692 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16152 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2203/21178
Abstract: 以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中，采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样，不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造，能降低单位发射极面积的基极集电极结容量，结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。
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公开(公告)号：CN1436398A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN01810964.0
申请日：2001-08-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H03F3/19 , H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F3/347 , H03F2200/444
Abstract: 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs－HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs－HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs－HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs－HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。
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公开(公告)号：CN1407830A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141412.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F3/72 , H03F2200/429 , H03F2203/7236
Abstract: 为了提供减少在切换到不同输出电平时导致的相位变化的高频放大装置，在分支电路之后的各个路径的至少一个位置上提供可变移相器，分支电路根据期望输出电平在高输出侧的路径和低输出侧的路径之间切换，高输出侧的路径在输出级段上具有使用第一半导体器件的放大器，而低输出侧的路径在输出级段上具有使用第二半导体器件的放大器，其中输出级段上第二半导体器件的输出低于输出级段上第一半导体器件的输出。在分接之后，可变移相器的相位长度被设置成预定数值，使得在穿过各个路径时各个路径的传递相位长度基本相同。
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公开(公告)号：CN1091952C
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN95197819.5
申请日：1995-03-17
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司
IPC: H01L29/737
Abstract: 本发明涉及一种接触结构，不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管，也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂III-V族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔，其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层，在通孔中形成第二导电层，使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀，则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀，因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。
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