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公开(公告)号:CN1292610C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02141164.6
申请日:2002-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大器,其在高和低输出功率电平切换功率放大器单元期间不会引入射频损耗。通过将第一级匹配网络(M12)和第一级匹配网络(M13)连到通过切换其中一个可工作的功率放大器单元(A11)和(A12)对应的输出节点,将第一级匹配网络(M12)和(M13)的输出节点并连。将最后一级匹配网络(M11)连在(M12)和(M13)的结点和输出端(OUT)之间,为两个功率放大器(A11)和(A12)形成第一级匹配网络(M12)、(M13)和最后一级匹配网络(M11),当一个单元处于工作中而其它单元停止工作时在输出端(OUT)和功率放大器单元之间建立阻抗匹配。本发明允许在功率放大器单元间切换而不需要射频开关。
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公开(公告)号:CN1252913C
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN01807552.5
申请日:2001-03-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0222 , H03F1/0261 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/306 , H03F3/19 , H03F3/1935 , H03F2200/318 , H03F2200/453
Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器,根据输入功率电平,对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大,作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。
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公开(公告)号:CN1407829A
公开(公告)日:2003-04-02
申请号:CN02141164.6
申请日:2002-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大器,其在高和低输出功率电平切换功率放大器单元期间不会引入射频损耗。通过将第一级匹配网络(M12)和第一级匹配网络(M13)连到通过切换其中一个可工作的功率放大器单元(A11)和(A12)对应的输出节点,将第一级匹配网络(M12)和(M13)的输出节点并连。将最后一级匹配网络(M11)连在(M12)和(M13)的结点和输出端(OUT)之间,为两个功率放大器(A11)和(A12)形成第一级匹配网络(M12)、(M13)和最后一级匹配网络(M11),当一个单元处于工作中而其它单元停止工作时在输出端(OUT)和功率放大器单元之间建立阻抗匹配。本发明允许在功率放大器单元间切换而不需要射频开关。
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公开(公告)号:CN1422455A
公开(公告)日:2003-06-04
申请号:CN01807552.5
申请日:2001-03-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0222 , H03F1/0261 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/306 , H03F3/19 , H03F3/1935 , H03F2200/318 , H03F2200/453
Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器,根据输入功率电平,对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大,作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。
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公开(公告)号:CN1450652A
公开(公告)日:2003-10-22
申请号:CN03110562.9
申请日:2003-04-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/205 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0692 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16152 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2203/21178
Abstract: 以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此,在使用了形成在半导体衬底上,具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中,采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样,不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造,能降低单位发射极面积的基极集电极结容量,结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。
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