公开(公告)号：CN1292610C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02141164.6

申请日：2002-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大西正已 ,  松本秀俊 ,  田上知纪 ,  加贺谷修 ,  关根健治

IPC: H04Q7/30 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/565 ,  H03F3/602 ,  H03F3/72 ,  H03F2203/7209

Abstract: 本发明提供一种射频功率放大器，其在高和低输出功率电平切换功率放大器单元期间不会引入射频损耗。通过将第一级匹配网络(M12)和第一级匹配网络(M13)连到通过切换其中一个可工作的功率放大器单元(A11)和(A12)对应的输出节点，将第一级匹配网络(M12)和(M13)的输出节点并连。将最后一级匹配网络(M11)连在(M12)和(M13)的结点和输出端(OUT)之间，为两个功率放大器(A11)和(A12)形成第一级匹配网络(M12)、(M13)和最后一级匹配网络(M11)，当一个单元处于工作中而其它单元停止工作时在输出端(OUT)和功率放大器单元之间建立阻抗匹配。本发明允许在功率放大器单元间切换而不需要射频开关。

公开(公告)号：CN1407719A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02126221.7

申请日：2002-07-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加贺谷修 ,  大西正已 ,  关根健治 ,  田上知纪

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/20 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F3/602 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/302 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7231 ,  H03F2203/7236

Abstract: 为了提供一种小尺寸的高频功率放大器，用于通过少量的开关电路而防止振荡并且高效率地输出高功率和低功率的高频信号，还提供一种高频功率放大器模块和便携式电话，该高频功率放大器包括相并联的放大电路A和放大电路B，其中在放大电路B的输出级上的晶体管的尺寸等于或小于在放大电路A的输出级上的晶体管的尺寸的1/4，以及开关电路连接在从放大电路A的输出级引出的信号线与接地端之间。另外，当构成放大电路B的晶体管进入不工作状态并且开关电路截止时，放大电路A输出高功率的高频信号，以及当构成放大电路A的晶体管进入不工作状态并且开关电路导通时，放大电路B输出低功率的高频信号。

公开(公告)号：CN1450652A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110562.9

申请日：2003-04-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大部功 ,  田上知纪 ,  草野忠四郎 ,  梅本康成 ,  黑川敦 ,  望月和浩 ,  大西正已 ,  松本秀俊

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/205 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7371 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/16152 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2203/21178

Abstract: 以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中，采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样，不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造，能降低单位发射极面积的基极集电极结容量，结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。

公开(公告)号：CN1409435A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02132376.3

申请日：2002-09-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 栗山哲 ,  田上知纪 ,  関根健治 ,  大西正已 ,  加贺谷修 ,  礒部敦

IPC: H01P1/30 ,  H01P3/08 ,  H01P5/08

CPC classification number: H04B1/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/30107 ,  H04B1/036 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/141 ,  H05K1/185 ,  H05K3/403 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4697 ,  H05K7/023 ,  H05K2203/061 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以使基板面积小型化和提高放热性的高频模块。本发明高频模块的特征是它具有第1基板10和第2基板20，在第1基板10的上面形成的凹部30中配置第1电路单元组，在第2基板20的上面配置第2电路单元组，具有当第1基板10和第2基板20上下连接时可以实现电耦合的电极端子60－a，60－b，具有通过将第1基板10和第2基板20上下连接起来形成高频模块的构造，进一步具有通过与在凹部30的底面和在第1基板10的下面形成的放热部分40连接的贯通孔50－a将从第1电路单元组放出的热传送到放热部分40的构造。