公开(公告)号：CN1252913C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN01807552.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松本秀俊 ,  田上知纪 ,  田中聪 ,  山下喜市

IPC: H03F3/213 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F1/306 ,  H03F3/19 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/453

Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器，根据输入功率电平，对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大，作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。

公开(公告)号：CN1436398A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN01810964.0

申请日：2001-08-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山下喜市 ,  田上知纪 ,  太部功 ,  关根健治

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F3/19 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/347 ,  H03F2200/444

Abstract: 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs－HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs－HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs－HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs－HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。

公开(公告)号：CN1422455A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807552.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松本秀俊 ,  田上知纪 ,  田中聪 ,  山下喜市

IPC: H03F3/213 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F1/306 ,  H03F3/19 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/453

Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器，根据输入功率电平，对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大，作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。

公开(公告)号：CN1267396A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN98808253.5

申请日：1998-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 关根健治 ,  山田宏治 ,  山崎松夫 ,  加贺谷修 ,  山下喜市

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种装载有多个半导体裸芯片器件的基底金属基板,具有第1和第2主面,在第1主面上形成了至少一个凸部和用来决定裸芯片器件的装载位置的至少2个凹部。凹部的深度比凸部的长度大且具有比金属基板的主面更好的平滑度。金属基板被部分地进行化学刻蚀以形成凸部,同时还进行机械加工以形成第1主面。导电性的凸部与已装载上裸芯片器件的基板的部分进行隔离,在基底基板的第1和第2主面一侧,用做用来进行电连的外部端子。

公开(公告)号：CN100536323C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN01810964.0

申请日：2001-08-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山下喜市 ,  田上知纪 ,  太部功 ,  关根健治

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F3/19 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/347 ,  H03F2200/444

Abstract: 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs-HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs-HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs-HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs-HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。

公开(公告)号：CN1167131C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN98808253.5

申请日：1998-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 关根健治 ,  山田宏治 ,  山崎松夫 ,  加贺谷修 ,  山下喜市

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种装载有多个半导体裸芯片器件的基底金属基板，具有第1和第2主面，在第1主面上形成了至少一个凸部和用来决定裸芯片器件的装载位置的至少2个凹部。凹部的深度比凸部的长度大且具有比金属基板的主面更好的平滑度。金属基板被部分地进行化学刻蚀以形成凸部，同时还进行机械加工以形成第1主面。导电性的凸部与已装载上裸芯片器件的基板的部分进行隔离，在基底基板的第1和第2主面一侧，用做用来进行电连的外部端子。