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公开(公告)号：CN101623786B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910150970.9
申请日：2009-06-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B23K1/06
CPC classification number: B23K1/012 , B23K1/0016 , B23K1/0053 , B23K1/06 , B23K3/087 , B23K37/0408 , B23K37/047 , B23K2101/42 , H05K3/3436 , H05K2203/0285 , Y02P70/613
Abstract: 本发明涉及软钎焊方法及软钎焊装置。本发明的任务是在凸点修复和局部回流中，伴随着软钎料连接部的细微化，因在软钎焊时产生的空隙残留在软钎料内而使连接强度明显降低，即使软钎料连接部与软钎料糊料熔融也发生彼此不融合的未连接现象。本发明的技术方案是，在软钎料熔融期间夹紧对象部件，只对该对象部件直接施加超声波励振。而且，在进行超声波励振的同时，根据振子的电阻抗变化检测软钎料连接部的凝固开始，在基板翘曲之前解除夹紧。
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公开(公告)号：CN100440471C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610162867.2
申请日：2003-03-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/262 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/141 , H05K3/3463 , H05K2201/0215 , H05K2201/0218 , H05K2201/045 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669
Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的电子装置中，半导体装置与衬底之间的结合部分通过由Cu之类构成的金属球和由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。
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公开(公告)号：CN101034694A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710006324.6
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/49579 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/19041 , H05K3/3426 , H05K2201/10689 , H05K2201/10848 , H05K2201/10909 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提出了如下的半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多个引线由刚性彼此不同的两种以上的引线构成。
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公开(公告)号：CN1983542A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162867.2
申请日：2003-03-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/262 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/141 , H05K3/3463 , H05K2201/0215 , H05K2201/0218 , H05K2201/045 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669
Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的电子装置中，半导体装置与衬底之间的结合部分通过由Cu之类构成的金属球和由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。
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公开(公告)号：CN1142843C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN98812250.2
申请日：1998-12-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K1/181 , B23K1/0016 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/262 , B23K2101/40 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L23/532 , H01L24/29 , H01L2224/83101 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H05K3/3426 , H05K3/3463 , H05K2201/10909 , Y02P70/613 , Y10T29/49144 , Y10T29/49149 , Y10T29/49169 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , H01L2924/00
Abstract: 一种无Pb焊料连接结构和电子装置，该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Pb焊料的特征在于：作为代表性的无Pb焊料的Sn-Ag-Bi与电极连接，该电极的表面上形成有Sn-Bi层。最好，按照重量百分比计，上述Sn-Bi层中的Bi浓度在1～20%的范围内，以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时，在上述Sn-Bi层的下面形成Cu层，以便获得具有足够高的界面强度的连接部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1444273A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120151.2
申请日：2003-03-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/262 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/141 , H05K3/3463 , H05K2201/0215 , H05K2201/0218 , H05K2201/045 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669
Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的电子装置中，半导体装置与衬底之间的结合部分通过由Cu之类构成的金属球和由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。
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公开(公告)号：CN101623786A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910150970.9
申请日：2009-06-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B23K1/06
CPC classification number: B23K1/012 , B23K1/0016 , B23K1/0053 , B23K1/06 , B23K3/087 , B23K37/0408 , B23K37/047 , B23K2101/42 , H05K3/3436 , H05K2203/0285 , Y02P70/613
Abstract: 本发明涉及软钎焊方法及软钎焊装置。本发明的任务是在凸点修复和局部回流中，伴随着软钎料连接部的细微化，因在软钎焊时产生的空隙残留在软钎料内而使连接强度明显降低，即使软钎料连接部与软钎料糊料熔融也发生彼此不融合的未连接现象。本发明的技术方案是，在软钎料熔融期间夹紧对象部件，只对该对象部件直接施加超声波励振。而且，在进行超声波励振的同时，根据振子的电阻抗变化检测软钎料连接部的凝固开始，在基板翘曲之前解除夹紧。
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公开(公告)号：CN100579337C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200710128137.5
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3436 , H01L24/81 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H05K1/111 , H05K3/3463 , H05K2201/094 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2224/81805
Abstract: 本发明提供了一种封装结构体，该封装结构体具有：多个软钎料凸起的多个部件、具有多个接合区的基板、以及连接上述软钎料凸起和上述接合区的软钎料连接部，设置在上述基板的外周部的接合区比上述基板的中央部的接合区小，其特征在于，在与设置在上述外周部的接合区连接的上述软钎料凸起的侧面设置抗焊剂。
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公开(公告)号：CN101337308A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810145147.4
申请日：2003-03-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B23K35/24
CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , H01L23/49816 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2224/86 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/166 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K2201/0215 , Y10T428/12181 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/1275 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/1291 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种焊料，在温度层级结合中实现高温端焊接结合，其中，半导体装置与衬底之间的连接部分通过由Cu之类构成的金属球以及由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。
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公开(公告)号：CN101146412A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710128137.5
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3436 , H01L24/81 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H05K1/111 , H05K3/3463 , H05K2201/094 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2224/81805
Abstract: 本发明提供了一种封装结构体，该封装结构体具有：多个软钎料凸起的多个部件、具有多个接合区的基板、以及连接上述软钎料凸起和上述接合区的软钎料连接部，其特征在于，设置在上述基板的外周部的接合区比上述基板的中央部的接合区小。
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