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公开(公告)号：CN102810671A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210191843.5
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/583 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/587 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D13/02 , C25D13/12 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/66 , H01M4/70 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是在具有凹凸的物体上以实际上均匀的厚度形成石墨烯。在将物体浸渍在氧化石墨烯溶液中之后，从溶液中取出该物体且对其进行干燥，或者浸渍物体和电极且将所述物体用作阳极并对所述物体与所述电极之间施加电压。因为氧化石墨烯带负电，所以以实际上均匀的厚度被吸引且附着到物体的表面。然后，通过在真空或还原气氛中对物体进行加热，使氧化石墨烯还原而得到石墨烯。通过上述步骤，即使在具有凹凸的物体的表面也可以形成具有实际上均匀的厚度的石墨烯。例如，也可以在晶须状的硅表面形成石墨烯的层，将其用作锂离子二次电池等蓄电装置。
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公开(公告)号：CN1938721B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200580009814.0
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K17/00 , G06K19/07 , B42D15/10
CPC classification number: G06K19/072 , G06K7/0008 , G06K19/0723 , G06K19/07718 , G06K19/07749
Abstract: 本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件，例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路，并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明，具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信，至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息，被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。
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公开(公告)号：CN102638112A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210096018.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M10/46 , G06K19/0702 , G06K19/0707 , G06K19/0723 , H01M6/40 , H01M10/425 , H01M10/44 , H01M10/48 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/20
Abstract: 本发明涉及无线蓄电装置、具备它的半导体装置及其工作方法。本发明的目的在于在具备电池的蓄电装置中对该电池简单地进行充电。另外，本发明的目的还在于提供一种无线蓄电装置，其中能够发送及接收信息，而不需要因作为驱动电源的电池随时间退化而交换电池。本发明的技术要点如下：包括天线电路、通过整流电路电连接到天线电路的电池、以及电连接到电池的负载部，其中电池因天线电路所接收的电磁波通过整流电路输入而进行充电，通过将所充电的电力提供到负载部，来进行放电，而且以积分方式对电池进行充电，并以脉冲方式进行电池的放电。
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公开(公告)号：CN102509736A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110421039.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/47635 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648
Abstract: 由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。
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公开(公告)号：CN101385039B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780005977.0
申请日：2007-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01Q1/2225 , G06K19/06037 , G06K19/0707 , H01L23/5227 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01M10/052 , H01M10/30 , H01M10/345 , H01M10/44 , H01Q1/248 , H01Q7/00 , H01Q9/285 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种包括RFID半导体器件，所述RFID可以在不存在由于作为驱动电源的电池随时间衰退而伴随的电池改变的情况下发送/接收各个信息，以及可提供驱动电力以即使在外部电磁波不足时也能够保持各个信息的良好发送/接收状态。所述半导体器件包括：信号处理电路、可操作地连接至所述信号处理电路的第一天线电路和第二天线电路、可操作地连接至所述信号处理电路的电池，其中所述第一天线电路发送/接收用于发送在所述信号处理电路中存储的数据的信号；所述第二天线电路接收用于对所述电池充电的信号；并且由所述第一天线电路接收的信号和由所述第二天线电路接收的信号具有不同的波长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1874159B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200610087745.1
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 长多刚
CPC classification number: H03L7/0995 , H03L7/18
Abstract: 本发明的目的是解决在执行负反馈控制的电路中不馈送信号的情况下来自外部的噪声造成的时钟频率改变所产生的通信失效问题，以便馈送的信号与反馈的信号能够保持信号之间的固定相位关系。本发明提供了一种结构，此结构包括PLL电路和振荡电路，其中提供了开关，用来在来自PLL电路的信号和来自振荡电路的信号输出到信号输出部分之间转换，以便在没有收到信号的情况下，从到PLL电路的连接转换为到振荡电路的连接。
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公开(公告)号：CN101728434A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207026.2
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/02 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/78645 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上，从而可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101183435A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710186400.6
申请日：2007-11-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 长多刚
IPC: G06K19/077
CPC classification number: H01M6/50 , H01M10/425
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置可以准确检测装在其内部的电池的电能残留量。本发明的半导体装置包括电池、解调电路、控制电路、以及传达媒介，所述控制电路产生包括关于存储在所述电池中的电能的残留量的信息的信号，并且所述传达媒介根据所述信号显示电能的残留量。解调电路解调从天线输入了的指示显示电能的残留量的信号。并且，控制电路可以根据解调了的信号，开始产生包括关于电池的残留量的信息的信号。
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公开(公告)号：CN1938721A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009814.0
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K17/00 , G06K19/07 , B42D15/10
CPC classification number: G06K19/072 , G06K7/0008 , G06K19/0723 , G06K19/07718 , G06K19/07749
Abstract: 本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件，例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路，并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明，具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信，至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息，被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。
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公开(公告)号：CN1829095A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610051518.3
申请日：2006-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H03K3/0315 , H03K5/133 , H03K23/582 , H03K2005/00039 , H03K2005/00202 , H03L7/085 , H03L7/0995 , H03L7/18
Abstract: 一种具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。该半导体装置包含提供于衬底上并输出具有正确频率的信号的PLL电路。通过在衬底上提供这种PLL电路，可以获得具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。
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