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公开(公告)号：CN105448929A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510552750.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/8229
CPC classification number: H01L29/518 , G11C11/5664 , G11C16/0483 , H01L27/285 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L51/0091 , H01L51/0591
Abstract: 本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。
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公开(公告)号：CN102947945A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201080065818.1
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构，其中：金属多孔膜位于光辐射侧；金属多孔膜与光电转换层直接接触；金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面；以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极，太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
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公开(公告)号：CN101978507B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980109384.8
申请日：2009-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池，包括：第一电极层，形成于基底上；生成层，形成于所述第一电极层上；以及第二电极层，形成于所述生成层上，所述第一电极层和所述第二电极层的至少之一为光透明的金属电极层，所述金属电极层具有穿过所述金属电极层的多个开口。所述金属电极层包括金属部，所述金属电极层的任意两个金属部彼此连续、无切割部分，所述金属电极层的膜厚度在10nm至200nm的范围中，且所述开口的大小等于或小于用于生成电的光的波长的1/2。
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公开(公告)号：CN102194954A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010520326.9
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法。根据实施例的半导体发光器件包括衬底、化合物半导体层、具备特定开口的金属电极层、光提取层以及反电极。光提取层具有20至120nm的厚度，且至少部分地覆盖金属电极层的金属部分；或者光提取层具有褶皱结构，并至少部分地覆盖金属电极层的金属部分。褶皱结构具有凸起，该凸起被设置为它们的顶点之间的间距为100至600nm，且这些顶点从金属电极层的表面起算的高度为200至700nm。
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公开(公告)号：CN1747191A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510098858.7
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1144669C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN00128595.5
申请日：2000-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/4614 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G03F7/0002 , H01L2924/0002 , H01P1/2005 , H05K1/0306 , H05K1/0313 , H05K3/107 , H05K3/185 , H05K3/4038 , H05K3/422 , H05K3/46 , H05K2201/0116 , H05K2201/0376 , H05K2201/09881 , H05K2201/10378 , Y10T29/49126 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种包括一多孔体和在该多孔体中填充有物质的大量区域的三维结构。为了形成光子谱带，填充有该物质的大量区域部分的平均节段为0.1-2μm。
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公开(公告)号：CN102947945B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080065818.1
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构，其中：金属多孔膜位于光辐射侧；金属多孔膜与光电转换层直接接触；金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面；以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极，太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
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公开(公告)号：CN103367596A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310096239.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/44
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。
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公开(公告)号：CN102918651A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080067177.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/06 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/18 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种使用增强的电场增加载流子激发的高效光电转换元件。所公开的光电转换元件包括光电转换层，所述光电转换层由层叠在两个电极层之间的两个或更多个半导体层形成，并且所述光电转换元件具有在所述光电转换层中的电场增强层，所述电场增强层被夹在所述半导体层之间。所述电场增强层包括金属精细结构体，其中所述金属精细结构体是多孔薄膜或诸如微球体的微小体。
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公开(公告)号：CN101978507A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109384.8
申请日：2009-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池，包括：第一电极层，形成于基底上；生成层，形成于所述第一电极层上；以及第二电极层，形成于所述生成层上，所述第一电极层和所述第二电极层的至少之一为光透明的金属电极层，所述金属电极层具有穿过所述金属电极层的多个开口。所述金属电极层包括金属部，所述金属电极层的任意两个金属部彼此连续、无切割部分，所述金属电极层的膜厚度在10nm至200nm的范围中，且所述开口的大小等于或小于用于生成电的光的波长的1/2。
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