公开(公告)号：CN115315813A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180022787.X

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。将栅极电极(G1)与第四半导体层(140)接触的栅极电极接触区域(GC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域包围将源极电极(S1)与第二半导体层(120)接触的源极电极接触区域(SC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域的周围。

公开(公告)号：CN103996775B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201410051573.7

申请日：2014-02-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种第III族氮化物半导体发光元件，包括：包括发光层、p型半导体层和n型半导体层的半导体层；接触p型半导体层的p接触电极；接触n型半导体层的n接触电极；以及支承半导体层的支承衬底。p接触电极和n接触电极设置在半导体层与支承衬底之间的位置处。在p接触电极和n接触电极被正投影在支承衬底的板表面上的情况下，p接触电极和n接触电极形成为所正投影的p接触电极和所正投影的n接触电极彼此不重叠的形状。

公开(公告)号：CN102142361A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010615087.5

申请日：2010-12-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  荒添直棋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物类化合物半导体元件的制造方法，通过在结晶成长基板上结晶成长外延成长层，利用金属层把外延成长层的最终成长层与支撑基板接合，除去结晶成长基板，把外延成长层的初期成长层的基底层作为支撑基板上的外延成长层的最上层。从最终成长层的一侧，形成由具有氮反应性的金属构成的第1层、由对氯等离子体蚀刻具有耐性的可进行湿式蚀刻的金属构成的第2层、由具有氮反应性的对湿式蚀刻具有耐性的金属构成的第3层。从半导体元件的基底层使用氯等离子体进行蚀刻露出第2层的表面而形成元件分离槽。通过湿式蚀刻除去露出在元件分离槽的底面上的第2层，使第3层露出在元件分离槽的底面上，在元件分离槽上覆盖绝缘性保护膜。

公开(公告)号：CN1309099C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02811199.0

申请日：2002-06-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  堀内茂美

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171

Abstract: 在倒装晶片型第III族氮化物化合物半导体发光元件中，在p侧电极表面和n侧电极表面的每一个上配置一个Au层，并插入有Ti层。

公开(公告)号：CN115349176A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180022947.0

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。源极电极(S1)形成在凹部(X1)之上。漏极电极(D1)形成在凹部(X2)之上。漏极电极接触区域(DC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ld)大于源极电极接触区域(SC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ls)。

公开(公告)号：CN103996775A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410051573.7

申请日：2014-02-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种第III族氮化物半导体发光元件，包括：包括发光层、p型半导体层和n型半导体层的半导体层；接触p型半导体层的p接触电极；接触n型半导体层的n接触电极；以及支承半导体层的支承衬底。p接触电极和n接触电极设置在半导体层与支承衬底之间的位置处。在p接触电极和n接触电极被正投影在支承衬底的板表面上的情况下，p接触电极和n接触电极形成为所正投影的p接触电极和所正投影的n接触电极彼此不重叠的形状。

公开(公告)号：CN102024892A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010285753.3

申请日：2010-09-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  伊藤润

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光提取性能改善的III族氮化物半导体发光器件，包括导电基底；设置在基底上的p-电极；由III族氮化物半导体形成并依次设置在p-电极上的p-型层、有源层和n-型层；和连接n-型层的n-电极。根据一个实施方案，发光器件包括从p-型层在p-电极侧上的表面延伸到n-型层的第一沟槽；与用作第一沟槽底部的n-型层表面接触但不接触第一沟槽侧壁的辅助电极；和具有透光性并覆盖辅助电极和第一沟槽的底部和侧壁的绝缘膜。根据另一实施方案，发光器件包括第二沟槽，其设置在沿垂直于器件主表面的方向面对部分辅助电极的区域中并从n-型层在p-电极侧的相反侧上的表面延伸到辅助电极；并且n-电极仅由焊盘部分形成并设置在辅助电极的通过第二沟槽暴露的部分上。

公开(公告)号：CN1553478A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1523683A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005369.8

申请日：2004-02-11

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/504 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光装置，具有：半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构。

公开(公告)号：CN1452791A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN00819587.0

申请日：2000-12-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  长坂尚久

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/50

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/32

Abstract: 一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法，在基片11的背面(基片面11b)形成反射层10，该反射层10在发光元件侧壁21a的蓝宝石基片附近的外周大致一周上设有扩张部10a。这样反射层形成面(基片面11b)外周附近的反射层10与基片的粘着性通过上述扩张部10a的形成被大幅度增强，所以反射层10以反射层形成面的外周附近作为起点的剥离没有了。所以即使设置把粘着片贴在反射层10上、把发光元件100固定在粘着片上的工序，也不会发生有反射层剥离的不合格品。这样可大幅度提高为提高发光效率设置了反射层10的半导体发光元件100的质量和生产性。侧壁21a上也可设置限制反射层10过于扩张的短路防止槽。