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公开(公告)号：CN1241253C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03149196.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/782 , H01L33/00
CPC classification number: B23K26/009 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/32341
Abstract: 在基片上形成多个第III族氮化物化合物半导体层，用于进行元件的形成和电极的形成。通过蚀刻或切块机切割除去在分离线上的第III组氮化物化合物半导体层，以便仅仅残留接近基片一侧的电极形成层或在所述分离线上不残留第III族氮化物化合物半导体层，保护膜形成在整个前部表面上。通过激光照射在基片的前部表面上形成分离槽。保护膜与激光束照射产生的不必要的产物一起除去。研磨基片的后部表面，减小基片的厚度。然后，在基片的后部表面中形成与格式框架状分离线相对应的后面槽。基片沿分离线分离成各个元件。
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公开(公告)号：CN1452791A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN00819587.0
申请日：2000-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法，在基片11的背面(基片面11b)形成反射层10，该反射层10在发光元件侧壁21a的蓝宝石基片附近的外周大致一周上设有扩张部10a。这样反射层形成面(基片面11b)外周附近的反射层10与基片的粘着性通过上述扩张部10a的形成被大幅度增强，所以反射层10以反射层形成面的外周附近作为起点的剥离没有了。所以即使设置把粘着片贴在反射层10上、把发光元件100固定在粘着片上的工序，也不会发生有反射层剥离的不合格品。这样可大幅度提高为提高发光效率设置了反射层10的半导体发光元件100的质量和生产性。侧壁21a上也可设置限制反射层10过于扩张的短路防止槽。
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公开(公告)号：CN1206747C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN00819587.0
申请日：2000-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法，在基片11的背面(基片面11b)形成反射层10，该反射层10在发光元件侧壁21a的蓝宝石基片附近的外周大致一周上设有扩张部10a。这样反射层形成面(基片面11b)外周附近的反射层10与基片的粘着性通过上述扩张部10a的形成被大幅度增强，所以反射层10以反射层形成面的外周附近作为起点的剥离没有了。所以即使设置把粘着片贴在反射层10上、把发光元件100固定在粘着片上的工序，也不会发生有反射层剥离的不合格品。这样可大幅度提高为提高发光效率设置了反射层10的半导体发光元件100的质量和生产性。侧壁21a上也可设置限制反射层10过于扩张的短路防止槽。
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公开(公告)号：CN1484328A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03149196.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: B23K26/009 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/32341
Abstract: 在基片上形成多个第III族氮化物化合物半导体层，用于进行元件的形成和电极的形成。通过蚀刻或切块机切割除去在分离线上的第III组氮化物化合物半导体层，以便仅仅残留接近基片一侧的电极形成层或在所述分离线上不残留第III族氮化物化合物半导体层，保护膜形成在整个前部表面上。通过激光照射在基片的前部表面上形成分离槽。保护膜与激光束照射产生的不必要的产物一起除去。研磨基片的后部表面，减小基片的厚度。然后，在基片的后部表面中形成与格式框架状分离线相对应的后面槽。基片沿分离线分离成各个元件。
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